[实用新型]纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

【背景技术】

伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已无法应付市场的需求而逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires，简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。

其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为导电电极的材料。

使用SNW作为导电电极的材料时，不可避免的也会出现一些问题，比如纳米银线涂布在基材上方后，没有办法均匀的平铺并比较好的搭接，纳米银线出现向上翘起的现象，使得纳米银线之间彼此搭接不良，并对导电率造成较大的影响。而导电率是衡量触控面板性能的一个重要指标，因此克服导电率不良的问题成了亟待解决的问题。

【实用新型内容】

为克服纳米银线导电层叠结构中纳米银线之间彼此搭接不良影响导电率的问题，本实用新型提供一种具有良好导电率的纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

本实用新型解决上述技术问题的方案是提供一种纳米银线导电层叠结构。该纳米银线导电层叠结构包括：一基材，一纳米银线导电电极层，设置于所述基材表面，一平整层，设置于所述纳米银线导电电极层异于所述基材一侧。

优选地，所述平整层的厚度为10nm-300nm。

优选地，所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm，方阻小于100ohm/sq。

优选地，所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，纳米银线相互搭接形成导电网络，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中。

优选的，所述纳米银线至少部分收容于平整层。

优选地，所述平整层与纳米银线导电电极层在厚度方向上实现相互嵌入。

优选地，所述平整层为一层光学膜，该光学膜的折射率为1.1-1.6。

优选地，所述平整层包括至少两层光学膜，由低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加而成，其中低折射率光学膜的折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜的折射率为1.8-2.7。

本实用新型解决上述技术问题提供的又一技术方案是：提供一种电容式触控面板，包括一盖板，所述盖板为偏光片或玻璃或柔性基材，一胶层，一触控电路控制器，及纳米银线导电层叠结构，其中，所述胶层连接盖板和所述的纳米银线导电层叠结构的任一面，所述纳米银线导电层叠结构电性连接于所述触控电路控制器，实现触控。

优选的，所述电容式触控面板进一步包括一增粘层、一光学匹配层、一四分之一波长延迟片之任意一种或其任意组合，所述增粘层设置于基材与纳米银线导电电极层之间，所述光学匹配层位于盖板下方任意位置，所述四分之一波长延迟片位于盖板和纳米银线导电电极层之间。