[实用新型]曲面触控显示模组及可穿戴设备

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及触控技术领域，特别涉及一种曲面触控显示模组及采用该曲面触控显示模组的可穿戴设备。

【背景技术】

触控设备因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。

伴随近年来触摸屏在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触摸屏一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触摸屏主要是电阻式触摸屏和电容式触摸屏，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触摸屏作为其最佳首选设备。

在传统智能手机，如iphone等的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好，广泛应用为目前触控面板与显示面板的导电电极材料。但ITO也有其明显的缺陷，ITO形成的导电电极很脆，缺乏柔韧性，不适用于如iwatch等曲面或柔性触摸屏上。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电材料已无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，其中纳米银线(silver nano wires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的曲面触控。

尽管纳米银线本身具有良好的耐曲挠性，但在纳米银线形成的导电薄膜用于曲面触控时，也必须妥善处理曲面应力对于纳米银线的影响。在纳米银线导电薄膜中，薄膜基材通常为微米级别，如125μm的PET，而形成在基材上的纳米银线厚度通常为纳米级别，如100nm，在对纳米银线导电薄膜弯曲时，即使弯曲程度很小，弯曲时产生的应力对于PET与纳米银线之间的附着，以及纳米银线之间的搭接都会产生较大的影响。尤其当这种应力为向外的拉应力时，其对于PET与纳米银线之间的附着，以及纳米银线之间的搭接影响更为严重。

同时，由于纳米银线的反光率比ITO高，采用纳米银线作为触控电极时，触控面板在视觉上会出现白雾现象，如果采用拉应力式的贴合方式，纳米银线离人眼更近，白雾现象更明显，从而影响触控面板的外观与透光度。

【实用新型内容】

为克服现有纳米银线替代ITO作为新的导电材料的诸多难题，本实用新型提供了一种可以解决所述难题的曲面触控显示模组及采用该曲面触控显示模组的可穿戴设备。

本实用新型解决技术问题的方案是提供一种曲面触控显示模组，包括一盖板，具有第一表面与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为触控面；一显示单元，包括偏光片和光学组件，所述偏光片位于所述第二表面与所述光学组件之间；一纳米银线导电层，设置于所述偏光片上且位于所述偏光片与所述光学组件之间；所述偏光片形变后，所述纳米银线导电层及所述偏光片的曲率大于0，压缩所述纳米银线导电层。

优选地，所述偏光片的厚度与所述纳米银线导电层的厚度比大于100，所述偏光片形变后，纳米银线导电层压缩率为0-25％。

优选地，所述偏光片的折射率为1.52-1.79。

优选地，纳米银线导电层的透光率至少为90％，雾度不超过5％，厚度为50nm-200nm，折射率为1.35-1.8。

优选地，所述纳米银线导电层包括一基质及分布于基质上的多条纳米银线，所述多条纳米银线相互搭接形成导电网络，所述每条纳米银线的线长介于20-50μm，线径小于50nm，长宽比大于400。

优选地，还包括一高折射率粘合层，高折射率粘合层位于盖板和偏光片之间，所述高折射率粘合层的折射率为1.52-1.79，所述高折射率层的涂覆面积在纳米银线导电层表面上的涂覆率不低于50％。

优选地，还包括增粘层，设置于纳米银线导电层与偏光片之间，增粘层的膨胀系数小于偏光片的膨胀系数。