[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

显示技术迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。高画质显示是各位厂家不断追求的目标。

无论是液晶显示技术领域还是有机发光显示技术领域，一般地，显示装置包括设置有像素阵列的基板，像素阵列包括呈矩阵分布的像素和呈行列式分布的栅线和数据线。

由于栅线和数据线上的电压信号为交流电压信号，即栅线和数据线中的电压信号随时间不断变化，不断变化的电压信号会引起瞬时电磁信号，瞬时电磁信号会对像素中的像素电极上的电压造成干扰，降低图像的显示质量。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，用以消除栅线和数据线上的电压随时间变化引起的瞬时电磁信号对像素电极上的电压造成干扰。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供的阵列基板，包括：位于衬底基板上的栅线和数据线，以及栅线和数据线围设而成的像素单元，还包括：位于所述栅线和数据线至少之一的上方与所述栅线和数据线相绝缘的屏蔽电极。

较佳地，还包括：位于所述衬底基板上的公共电极线；

所述屏蔽电极与所述公共电极或公共电极线电性相连。

较佳地，所述公共电极线和所述屏蔽电极位于不同层且通过过孔电性相连。

较佳地，每一像素单元所在区域设置有一个所述过孔。

较佳地，还包括：位于所述衬底基板上的像素电极，所述屏蔽电极与所述像素电极位于同一层。

较佳地，所述像素电极和屏蔽电极为材质相同的透明导电电极。

较佳地，所述栅线、公共电极线和数据线采用金属或合金制作而成。

较佳地，所述屏蔽电极位于所述栅线上方，所述屏蔽电极覆盖所述栅线；或

所述屏蔽电极位于所述数据线上方，所述屏蔽电极覆盖所述数据线；或

所述屏蔽电极位于所述栅线和数据线上方，所述屏蔽电极覆盖所述栅线和数据线。

较佳地，还包括位于所述栅线和数据线交叉区域的薄膜晶体管，所述屏蔽电极还位于所述薄膜晶体管上方。

本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本实用新型实施例提供的阵列基板，包括：位于衬底基板上的栅线和数据线，以及栅线和数据线围设而成的像素单元，还包括：位于所述栅线和数据线至少之一的上方与所述栅线和数据线相绝缘的屏蔽电极。所述屏蔽电极可以消除栅线和数据线上的电压随时间变化引起的瞬时电磁信号对像素电极上的电压造成干扰，提高图像的显示质量。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板俯视示意图；

图2为图1在A1-A2向的截面示意图；

图3为为包括公共电极线的阵列基板的俯视示意图；

图4为图3在A1-A2向的截面示意图；

图5为图3在B1-B2向的截面图；

图6为本实用新型实施例提供的包括薄膜晶体管的阵列基板俯视示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置，用以消除栅线和数据线上的电压随时间变化引起的瞬时电磁信号对像素电极上的电压造成干扰。

本实用新型实施例提供的阵列基板可以适用于液晶显示技术领域和有机发光显示技术领域，例如，可以适用于扭曲向列型(TN)、高级超维场转换(、ADS)，及平面内开关(IPS)型，或垂直对准平面内开关(VA-IPS)型等模式的显示装置。

以下将以TN模式的显示装置为例结合图1和图2对本实用新型实施例提供的技术方案进行具体说明。

TN模式的显示装置包括设置有公共电极的彩膜基板和设置有像素电极的阵列基板；

参见图1，为本实用新型实施例提供的阵列基板俯视示意图；参见图2为图1在A1-A2向的截面示意图；

阵列基板包括：

位于衬底基板1上的栅线10和数据线30，以及栅线10和数据线30围设而成的像素单元(图1和图2中未示出)；

还包括：位于栅线10和数据线30至少之一的上方与栅线10和数据线30相绝缘的屏蔽电极41。

屏蔽电极41保证与栅线10、数据线30绝缘，且覆盖栅线10和/或数据线30的全部或部分的前提下，具体位置不限。

屏蔽电极41覆盖的区域不限，至少有以下几种实施方式。

方式一：屏蔽电极41仅覆盖栅线10的一部分或全部；

方式二：屏蔽电极41仅覆盖数据线30的一部分或全部；