[实用新型]一种真空镀膜设备及数据线支架

权利要求书

1.一种真空镀膜设备，用于对数据线进行真空镀膜，所述数据线一端设置有第一数据线接头，其特征在于，所述真空镀膜设备包括气相沉积室以及设置于所述气相沉积室内的支架，所述支架包括多个第一支架接头，所述第一支架接头能够与所述第一数据线接头适配且彼此接插固定，进而将所述数据线设置于所述气相沉积室内。 

2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述支架进一步包括支架柱以及多个第一支撑杆，所述多个第一支撑杆设置于所述支架柱上且沿所述支架柱的径向方向放射状延伸，所述第一支架接头间隔设置于所述第一支撑杆上。 

3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一支撑杆上间隔设置有多个第一卡槽，所述第一支架接头固定于所述第一卡槽内。 

4.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述数据线的另一端设置有第二数据线接头，所述支架进一步包括多个第二支架接头以及多个第二支撑杆，所述多个第二支撑杆沿所述支架柱的轴向方向相对于所述第一支撑杆间隔设置于所述支架柱上且沿所述支架柱的径向方向放射状延伸，所述第二支架接头间隔设置于所述第二支撑杆上，所述第二支架接头与所述第二数据线接头适配且能够彼此接插固定，进而将所述数据线设置于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间。 

5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第二支撑杆上间隔设置有多个第二卡槽，所述第二支架接头固定于所述第二卡槽内。 

6.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一支架接头和所述第二支架接头对称设置，以使得设置于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间的所述数据线平行于所述支架柱的轴向方向。 

7.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一支撑杆 和所述第二支撑杆中的至少一者沿所述支架柱的轴向方向的位置可调，进而使得所述第一支撑杆与所述第二支撑杆沿所述支架柱的轴向方向的间距可调。 

8.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述支架进一步包括第一主支撑环和第二主支撑环，所述第一主支撑环和所述第二主支撑环分别与所述支架柱嵌套设置且沿所述支架柱的轴向方向间隔固定于所述支架柱上，所述第一支撑杆包括多个第一主支撑杆，所述多个第一主支撑杆设置于所述第一主支撑环上且向所述第一主支撑环的外侧放射状延伸，所述第二支撑杆包括多个第二主支撑杆，所述多个第二主支撑杆设置于所述第二主支撑环上且向所述第二主支撑环的外侧放射状延伸。 

9.根据权利要求8所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述支架进一步包括第一辅支撑环、第二辅支撑环、多个第一辅支撑杆和多个第二辅支撑杆，所述第一辅支撑环设置于所述第一主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述第一主支撑环间隔嵌套设置，所述多个第一辅支撑杆设置于所述第一辅支撑环上且向所述第一辅支撑环的外侧放射状延伸，所述第二辅支撑环设置于所述第二主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述第二主支撑环间隔嵌套设置，所述多个第二辅支撑杆设置于所述第二辅支撑环上且向所述第二辅支撑环的外侧放射状延伸。 

10.根据权利要求1-8任一项所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室侧壁的入口以及设置于所述气相沉积室内与所述入口正对着的降温分流挡板，所述入口用于引入高分子材料裂解气体，所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散于所述气相沉积室内。 

11.根据权利要求10所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备进一步包括排气柱，所述排气柱呈中空状且在所述排气柱的侧壁上设置 有多个第一通气孔，所述支架柱呈中空状且所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔，所述排气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套设置于所述排气柱外侧且能够绕所述排气柱进行转动，所述高分子材料裂解气体经所述第一通气孔和所述第二通气孔均匀扩散并沉积于所述数据线上。 

12.根据权利要求11所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一通气孔为长度方向沿所述排气柱的轴向方向设置的条形孔。 

13.根据权利要求12所述的真空镀膜设备，其特征在于，沿所述排气柱的轴向方向相邻设置的所述第一通气孔沿所述排气柱的轴向方向彼此错开。