[实用新型]晶体振荡器

权利要求书

1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括幅度控制电路、反相放大器、反馈电阻，所述反相放大器的输出端连接所述幅度控制电路的输入端，所述幅度控制电路的输出端连接所述反相放大器的电流偏置端，所述反馈电阻的一端连接所述反相放大器的输入端，所述反馈电阻的另一端连接所述反相放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述幅度控制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一参考电流源、第二参考电流源、运算放大器、第一电流镜、第二电流镜；

所述第一MOS管的漏极、所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的源极、所述运算放大器的正端相互连接，所述第一MOS管的源极连接所述第一电流镜的输出端，所述第一电流镜的输入端连接所述第一参考电流源的一端，所述第一参考电流源的另一端分别连接所述第三MOS管的漏极、所述第二电流镜的输入端、所述第二参考电流源的一端，所述第二参考电流源的另一端分别连接所述第二MOS管的漏极、所述第三MOS管的栅极，所述第二电流镜的输出端连接所述反相放大器的电流偏置端，所述运算放大器的负端、所述运算放大器的输出端、所述第四MOS管的栅极、所述第五MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极相互连接，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的漏极连接所述第二电流镜的接地端，所述第五MOS管的源极连接所述反相放大器的输出端。

3.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第一电流镜包括第六MOS管、第七MOS管；

所述第六MOS管的漏极、所述第六MOS管的栅极、所述第七MOS管的栅极相互连接，所述第六MOS管的源极、所述第七MOS管的源极分别接地，所述第六MOS管的漏极还连接所述第一参考电流源的一端，所述第七MOS管的漏极连接所述第一MOS管的源极。

4.根据权利要求2或3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述第二电流镜包括第八MOS管、第九MOS管；

所述第八MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极、所述第九MOS管的栅极相互连接，所述第八MOS管的源极、所述第九MOS管的源极分别连接是所述第二参考电流源的一端，所述第九MOS管的漏极连接所述反相放大器的电流偏置端，所述第八MOS管的漏极连接所述第四MOS管的漏极。

5.根据权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述幅度控制电路还包括第一电容器、第二电容器、第三电容器、滤波电阻；

所述滤波电阻连接在所述第八MOS管的栅极和所述第九MOS管的栅极之间，所述第一电容器连接在所述运算放大器的输出端和地之间，所述第二电容器连接在所述第八MOS管的源极和所述第九MOS管的栅极之间，所述第三电容器连接在所述第九MOS管的漏极和地之间。

6.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，还包括微调电容阵列；

所述微调电容阵列包括第一引出端、第二引出端、控制端，所述第一引出端连接所述反相放大器的输入端，所述第二引出端连接所述反相放大器的输出端，所述控制端连接外部的寄存器。

7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述微调电容阵列还包括第一电容阵列、第二电容阵列；

所述第一电容阵列、所述第二电容阵列分别包括两个以上的并联的电容器，各所述电容器分别串联一个寄存器控制接口，各所述寄存器控制接口分别连接外部的寄存器。