[实用新型]一种改进型交叉耦合灵敏放大器有效
申请号: | 201420321040.1 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN203895126U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 虞致国;梁思思;赵琳娜;顾晓峰 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C7/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214122 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进型 交叉 耦合 灵敏 放大器 | ||
1.一种改进型交叉耦合灵敏放大器,包括:电压预充平衡电路,PMOS交叉耦合放大电路,NMOS交叉耦合放大电路以及输出电路,其特征在于:
所述预充平衡电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和NMOS交叉耦合放大电路;所述NMOS交叉耦合放大电路连接所述PMOS交叉耦合放大电路和输出电路。
2.如权利要求1所述的改进型交叉耦合灵敏放大器,其特征在于,所述NMOS交叉耦合放大电路包括PMOS管P9、PMOS管P10、NMOS管N3、NMOS管N4、及NMOS管N5,PMOS管P9、PMOS管P10为一组,PMOS管P9和PMOS管P10的源极连接电源电压;NMOS管N3和NMOS管N4为一组,NMOS管N3和NMOS管N4的源极相连,NMOS管N3的栅极连接NMOS管N4的漏极,NMOS管N4的栅极连接NMOS管N3的漏极;NMOS管N5为一组,NMOS管N5的源极接地;PMOS管P9的栅极和PMOS管P10的栅极分别连接前级PMOS交叉耦合放大电路的输出端口,NMOS管N3的漏极连接PMOS管P9的漏极和前级电压预充平衡放大电路的4个预充端的其中一个预充端,NMOS管N4的漏极连接PMOS管P10的漏极和前级电压预充平衡放大电路的4个预充端其中的另一个预充端,NMOS管N5的漏极连接NMOS管N3和NMOS管N4的源极,NMOS管N5的栅极连接控制信号。
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