[实用新型]晶片装配抗氧化装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片装配装置，特别是涉及一种晶片装配抗氧化装置。

背景技术

在电子电路中经常用到半导体二极管，它在许多电路中起着重要的作用，是诞生最早的半导体器件之一，常用于整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中，应用非常广泛。晶体三极管是内部含有两个PN结，并且具有放大功能的特殊器件，晶体三极管在电路中对信号具有放大和开关作用，应用也十分广泛。

二极管晶片和三极管晶片在生产的过程中，需要将晶片原料盘中的晶片取出并装配到接料引线上。装配时，需要提供高温环境，这样一来高温会导致晶片的氧化，会直接影响成品的合格率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型的晶片装配抗氧化装置，在装配晶片时向高温密封装配舱内注入氢气、氮气等抗氧化气体，避免晶片在高温环境下被氧化。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：晶片装配抗氧化装置，它包括高温密封装配舱，高温密封装配舱内设置有用于放置接料引线的支架，晶片装配在接料引线上；所述的高温密封装配舱的壁上设置有至少一个抗氧化气体导入口，抗氧化气体导入口通过安装组件固定安装在高温密封装配舱的壁上。 

所述的抗氧化气体导入口有两个，一个是氢气导入口，另一个是氮气导入口。

所述的安装组件包括相互配合的法兰盘A和法兰盘B，法兰盘A通过密封垫圈a压紧于高温密封装配舱的壁上，法兰盘B通过密封垫圈b压紧于高温密封装配舱的壁上。

所述高温密封装配舱的壁上还设置有抽真空口，抽真空口通过真空管连接抽真空泵。

本实用新型的有益效果是：

1）在装配晶片时向高温密封装配舱内注入氢气、氮气等抗氧化气体，可有效避免晶片在高温环境下被氧化；

2）换气方式采用抽真空泵，先将高温密封装配舱内的空气排空形成负压，再通过抗氧化气体导入口注入抗氧化气体，气密性好，抗氧化气体不易泄露；

3）安装组件采用法兰结构，结构简单、成本低，且设置了密封垫圈，进一步提高了高温密封装配舱的气密性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型安装组件结构示意图；

图中，1-高温密封装配舱，2-接料引线，3-支架，4-晶片，5-抗氧化气体导入口，6-安装组件，7-法兰盘A，8-法兰盘B，9-密封垫圈a，10-密封垫圈b，11-抽真空口，12-真空管。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，晶片装配抗氧化装置，它包括高温密封装配舱1，高温密封装配舱1内设置有用于放置接料引线2的支架3，晶片4装配在接料引线2上；所述的高温密封装配舱1的壁上设置有至少一个抗氧化气体导入口5，抗氧化气体导入口5通过安装组件6固定安装在高温密封装配舱1的壁上。 

作为优选，所述的抗氧化气体导入口5有两个，一个是氢气导入口，另一个是氮气导入口。

如图2所示，所述的安装组件6包括相互配合的法兰盘A7和法兰盘B8，法兰盘A7通过密封垫圈a9压紧于高温密封装配舱1的壁上，法兰盘B8通过密封垫圈b10压紧于高温密封装配舱1的壁上。

所述高温密封装配舱1的壁上还设置有抽真空口11，抽真空口11通过真空管12连接抽真空泵。

本实用新型在使用时，先通过抽真空口11将高温密封装配舱1内的空气排空形成负压，再通过抗氧化气体导入口5注入抗氧化气体氢气、氮气等。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。