[实用新型]一种驱动开关型负载的高功率因数填谷电路及开关电源

权利要求书

1.一种驱动开关型负载的高功率因数填谷电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一电感和第一电容；

所述高功率因数填谷电路包括三个端口；所述第一开关管的第一端为该填谷电路的第一端口；

所述第一开关管的第一端连接脉动直流电源的正输出端，所述第一开关管的第二端连接第一节点；

所述第二开关管的第一端连接所述第一节点，所述第二开关管的第二端连接所述脉动直流电源的负输出端；所述第二开关管的第二端为该填谷电路的第二端口；

所述第一电感的第一端连接所述脉动直流电源的正输出端，所述第一电感的第二端连接第二节点；所述第二节点为该填谷电路的第三端口；

所述第一电容的第一端连接所述第一节点，所述第一电容的第二端连接所述第二节点；

所述第二端口和第三端口之间连接开关型负载，所述开关型负载为负载和开关串联。

2.根据权利要求1所述的驱动开关型负载的高功率因数填谷电路，其特征在于，所述第一电容为陶瓷电容。

3.根据权利要求1或2所述的驱动开关型负载的高功率因数填谷电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为不可控的二极管，分别为第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管的阴极连接脉动直流电源的正输出端，所述第一二极管的阳极连接第一节点；

所述第二二极管的阴极连接所述第一节点，所述第二二极管的阳极连接所述脉动直流电源的负输出端。

4.根据权利要求1或2所述的驱动开关型负载的高功率因数填谷电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为可控的MOS管，分别为第一MOS管和第二MOS管。

5.一种驱动开关型负载的高功率因数填谷电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一电感和第一电容；

所述高功率因数填谷电路包括三个端口；所述第一开关管的第一端为该填谷电路的第一端口；

所述第一开关管的第一端连接脉动直流电源的正输出端，所述第一开关管的第二端连接第一节点；

所述第二开关管的第一端连接所述第一节点，所述第二开关管的第二端连接所述脉动直流电源的负输出端；所述第二开关管的第二端为该填谷电路的第二端口；

所述第一电感的第一端连接所述第二开关管的第二端，所述第一电感的第二端连接第二节点；所述第二节点为该填谷电路的第三端口；

所述第一电容的第一端连接所述第一节点，所述第一电容的第二端连接所述第二节点；

所述第一端口和第三端口之间连接开关型负载，所述开关型负载为负载和开关串联。

6.一种开关电源，其特征在于，包括：整流器、高功率因数填谷电路和开关；

所述整流器的输入端连接交流电源，用于将所述交流电源的交流电整流为脉动直流电作为脉动直流电源；

所述高功率因数填谷电路包括：第一开关管、第二开关管、第一电感和第一电容；

所述高功率因数填谷电路包括三个端口；所述第一开关管的第一端为该填谷电路的第一端口；

所述第一开关管的第一端连接脉动直流电源的正输出端，所述第一开关管的第二端连接第一节点；

所述第二开关管的第一端连接所述第一节点，所述第二开关管的第二端连接所述脉动直流电源的负输出端；所述第二开关管的第二端为该填谷电路的第二端口；

所述第一电感的第一端连接所述脉动直流电源的正输出端，所述第一电感的第二端连接第二节点；所述第二节点为该填谷电路的第三端口；

所述第一电容的第一端连接所述第一节点，所述第一电容的第二端连接所述第二节点；

所述第二端口和第三端口之间连接开关型负载，所述开关型负载为负载和开关串联。

7.根据权利要求6所述的开关电源，其特征在于，所述第一电容为陶瓷电容。

8.根据权利要求6或7所述的开关电源，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为不可控的二极管，分别为第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管的阴极连接脉动直流电源的正输出端，所述第一二极管的阳极连接第一节点；

所述第二二极管的阴极连接所述第一节点，所述第二二极管的阳极连接所述脉动直流电源的负输出端。

9.根据权利要求6或7所述的开关电源，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为可控的MOS管，分别为第一MOS管和第二MOS管。