[实用新型]一种多晶硅还原炉用变频电源装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种变频装置，特别是一种多晶硅还原炉用变频电源装置。 

背景技术

多晶硅还原炉电源是以硅棒电阻为负载的加热电源。电源的控制目标是使硅棒电阻表面温度在1000℃～1150℃。提高硅棒的表面温度可以提高硅棒表面多晶硅的沉积速度，有助于缩短生长周期、降低电耗。而现有多晶硅还原电路电源采用的是50Hz交流电压调压器。多晶硅50Hz集肤深度大约26mm。而由于硅棒直径越大硅棒中心温度与硅棒电阻表面温度差别就越大，硅棒生长到120mm以上，硅棒电阻表面温度过高，硅棒中心接近熔化-熔心现象。而为了不出现熔心现象就要降低硅棒表面温度，从而导致多晶硅的沉积速度下降。 

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉用变频电源装置，从而使50Hz的交流电电源能为多晶硅提供频率在50Hz～10KHz的交流电。 

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种多晶硅还原炉用变频电源装置，包括一个24相整流变压器和一个变频器串联组；24相整流变压器设有四个互差15°的副边，所述副边包括第一副边、第二副边、第三副边和第四 副边；所述变频器串联组包括四个变频器，每个变频器均设有第一出线端口、第二出线端口； 

在变频器串联组中，第一变频器的第二出线端口与第二变频器的第一出线端口串联；第一变频器的第二出线端口与第三变频器的第一出线端口串联；第三变频器的第二出线端口与第四变频器的第一出线端口串联； 

24相整流变压器的第一副边与第一变频器的输入端连接；24相整流变压器的第二副边与第二变频器的输入端连接；24相整流变压器的第三副边与第三变频器的输入端连接；24相整流变压器的第四副边与第四变频器的输入端连接。 

上述多晶硅还原炉用变频电源装置，在所述变频器中，二极管整流桥的输入端与24相整流变压器的副边连接，二极管整流桥的两个输出端口之间并联有一个有极性的电容器C、第一IGBT模块组和第二IGBT模块组，第一IGBT模块组和第二IGBT模块组均由两个串联的IGBT模块构成，第一IGBT模块组中的一个IGBT模块由并联的IGBT场效应管Q2和二极管D2组成、另一个IGBT模块由并联的IGBT场效应管Q3和二极管D3组成，第二IGBT模块组中的一个IGBT模块由并联的IGBT场效应管Q1和二极管D1组成、另一个IGBT模块由并联的IGBT场效应管Q4和二极管D4组成，IGBT场效应管Q2的集电极、二极管D2的阴极、IGBT场效应管Q1的集电极和二极管D1的阴极分别与有极性的电容器C的阳极连接，IGBT场效应管Q3的发射极、二极管D3的阳极、IGBT场效应管Q4的发射极和二极管D4的阳极分别与有极性的电容器C的阴极连接，IGBT场效应管Q2的发射极和二极管D2的阳极的连接端与IGBT场效应管Q3的集电极和二极管D3的阴极的连接端连接，IGBT场效应管Q1的 发射极和二极管D1的阳极的连接端与IGBT场效应管Q4的集电极和二极管D34的阴极的连接端连接，IGBT场效应管Q2的发射极和二极管D2的阳极的连接端与IGBT场效应管Q3的集电极和二极管D3的阴极的连接端之间的导线与第二出线端口连接，IGBT场效应管Q1的发射极和二极管D1的阳极的连接端与IGBT场效应管Q4的集电极和二极管D34的阴极的连接端之间的导线与第一出线端口连接。 

本实用新型的有益效果是：本实用新型可以将50Hz的交流电转换为频率在50Hz～10KHz范围之内的交流电，从而可以使普通交流电能随着硅棒的直径加大逐渐增加供电频率，加之由于10KHz供电频率使多晶硅集肤深度降低到1.85mm左右，以及加热电流趋近硅棒表面，硅棒中心温度只是略大于硅棒表面温度，因此可以提高硅棒表面温度，进而获得缩短生长周期降低电耗的经济效益。 

附图说明

图1为本实用新型多晶硅还原炉用变频电源装置的电路原理图； 

图2为本实用新型多晶硅还原炉用变频电源装置中的变频器的工作原理图。 

图中,1-第一副边，2-第二副边，3-第三副边，4-第四副边，5-第一变频器，6-第二变频器，7-第三变频器，8-第四变频器。 

具体实施方式