[实用新型]负压控制装置有效
申请号: | 201420331881.0 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN204029768U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 许鸿铭;姜智元;张木庆 | 申请(专利权)人: | 苏州均华精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;徐丹 |
地址: | 215101 江苏省苏州市吴中区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种负压控制装置,尤指一种能利用单一真空源,以多个负压给多个装置的控制装置。
背景技术
负压装置,其系广泛地应用于晶圆封装的制程中。常见的负压装置的使用方式,其系提供一负压给一上模具,而使该上模具吸附一膜体。再提供另一负压给一下模具,而使该下模具吸附一晶圆。等待封装制程完成后,负压装置又提通一负压给一取放装置,以将完成封装的晶圆取出下模具。
或者该负压装置系提供一负压给一下模具,该下模吸附有复数个晶粒,该些晶粒系贴附于一膜体。该负压装置再提供一负压给一上模具,该上模具系对该膜体进行吸附,而使该膜体与该些晶粒相互分离。该负压装置又提通一负压给一取放装置,以将该些晶圆取出下模具。
如上所述,负压装置系能够应用于晶圆封装的制程中,但上述之负压提供系使用至少两部负压装置,如真空抽取机,或者三部以上。使用多部负压装置的目的在于因上述之上模具、下模具或取放装置所使用的真空负压值皆不相同,所以才使用多部负压装置以提供多种真空负压值之负压给多个装置。使用多部负压装置的结果系造成设备需要较大的设置空间,以及较高成本。
发明内容
本实用新型目的在于提供一种负压控制装置,其系藉由单一真空源,以提供多个负压给多个装置,如此能够节省设备空间,并降低成本。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种负压控制装置,其具有:
一真空单元;
至少二第一阀,各第一阀系耦接该真空单元;
至少二第一工作区,各第一工作区系耦接各第一阀;
一第二阀,其系耦接所述真空单元;
一压力控制器,其系耦接所述第二阀;以及
一第二工作区,其系耦接所述压力控制器。
上述方案中,还具有一控制单元,该控制单元系分别耦接所述真空单元、所述第一阀、所述第二阀与所述压力控制器。
上述方案中,所述第一工作区或第二工作区为一模具、一上模、一下模、一载盘、一模腔或一吸取装置。
上述方案中,所述第一阀与第二阀为一真空电磁阀。
上述方案中,还具有至少一压力表,各压力表系分别耦接各第一阀与各第一工作区。
上述方案中,还具有一压力表,该压力表系分别耦接所述压力控制器与所述第二工作区。
附图说明
图1为本实用新型负压控制装置的示意图;
图2为本实用新型负压控制装置的动作时序图。
以上附图中:10、真空单元;11、第一阀;12、压力表;13、第一工作区;14、第二阀;15、压力控制器;16、第二工作区;17、控制单元;18、压力表。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一: 参见图1-图2所示:
请配合参考图1所示,一种负压控制装置,其具有一真空单元10、至少二第一阀11、至少一压力表12、18、至少二第一工作区13、一第二阀14、一压力控制器15、一第二工作区16与一控制单元17。
真空单元10系为一真空泵浦。
第一阀11系耦接真空单元10。第一阀11为一真空电磁阀。
各压力表12系耦接各第一阀11。
各第一工作区13系耦接各压力表12。第一工作区13为一模具、一上模、一下模、一载盘、一模腔或一吸取装置。
第二阀14系耦接真空单元10。第二阀14为一真空电磁阀。
压力控制器15系耦接第二阀14。
第二工作区16系耦接压力控制器15。第二工作区15为一模具、一上模、一下模、一载盘、一模腔或一吸取装置。
控制单元17系分别耦接真空单元10、第一阀11、第二阀14与压力控制器15。
压力表18系分别耦接压力控制器15与第二工作区16。
请配合参考图2所示,其系为一时序控制示意图。直线A为一开始点。直线B为一终点。时序线C至I系表示工作动作时间。
请再配合参考图1所示,若第一工作区13为一上模,时序线D系表示上模的内圈具有一第一真空值,该第一真空值的开始点系为时序线D邻近直线A的高起位置处,该第一真空值的终止点系为时序线D邻近直线B的高起位置处。同理,时序线C至I亦可为相同的论述。该第一工作区13系为图1之右上角的第一个。
时序线C系表示一膜或一载盘的定位预备的起终时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造