[实用新型]一种晶硅太阳能电池的背抛光装置

说明书

技术领域

本实用新型属于晶硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池的背抛光装置。 

背景技术

背面抛光技术可以提高晶硅太阳能电池背面的平整度，印刷后的晶硅太阳能电池片经过烧结后可以形成均匀平整的铝背场，从而减小背面复合速率，改善长波响应，提高长波的内量子效应，增加开路电压；目前，背面抛光主要分为机械抛光和化学抛光，机械抛光需要特殊的设备和抛光液，生产成本较高；化学抛光技术尚不成熟，抛光效果差，且容易破坏绒面。 

实用新型内容

为解决上述缺陷，本实用新型提供一种晶硅太阳能电池的背抛光装置，其利用连通器原理，使化学抛光溶液仅接触电池片的背面，避免了化学抛光溶液对绒面的腐蚀破坏，并且反应槽内药液浓度更均匀，反应速率更稳定，可显著提高背面反射率。 

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种晶硅太阳能电池的背抛光装置，包括连通槽及反应槽，所述的连通槽底部与反应槽的底部连通，所述的连通处的反应槽上设置有回流管，回流管上设置有回流泵，回流管的另一端连接至连通槽顶部，所述的连通槽顶部还设置有药液补加管，所述反应槽的槽口下方设置有硅片支撑点。 

进一步，所述的硅片支撑点与反应槽槽口顶部的垂直距离为3~5mm。 

作为优选，所述的反应槽可进行拓展形成反应槽阵列，适用于工业化生产。 

作为优选，所述的背抛光装置所采用的抛光液为抗酸碱的聚偏氟乙烯（PVDF）材料。 

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：化学抛光溶液通过连通槽从反应槽底部打入，药液在反应槽内从下而上流动，仅接触硅片背面，避免了药液对硅片正面绒面结构的腐蚀破坏，反应后药液即排出反应槽，使反应槽内药液浓度更加均匀，从而反应速率更加平稳，抛光效果更好，背面抛光技术可以提高晶硅太阳能电池背面的平整度，印刷后的晶硅太阳能电池片经过烧结后可以形成均匀平整的铝背场，从而减小背面复合速率，提高长波的内量子效应，改善长波响应，增加开路电压，提高太阳能电池光电转化效率，并且反应槽可进行拓展形成反应槽阵列，适用于工业化生产。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 

图1一种晶硅太阳能电池的背抛光装置结构示意图。 

图2反应槽阵列情况下背抛光装置结构示意图。 

图中，硅片1；药液补加管2；回流管3；连通槽4；回流泵5；抛光液6；反应槽7；硅片支撑点8。 

具体实施方式

如图1所示，一种晶硅太阳能电池的背抛光装置，包括连通槽4及反应槽7，所述的连通槽4底部与反应槽7的底部连通，所述的连通处的反应槽7上设置有回流管3，回流管3上设置有回流泵5，回流管3的另一端连接至连通槽4顶部，所述的连通槽4顶部还设置有药液补加管2，所述反应槽7的槽口下方设置有硅片支撑点8，所述的硅片支撑点8与反应槽7槽口顶部的垂直距离为3~5mm，所述的硅片支撑点8用于支撑硅片1，所述的反应槽7可进行拓展形成反应槽阵列，适用于工业化生产，所述的背抛光装置所采用的抛光液6为抗酸碱的聚偏氟乙烯（PVDF）材料。 

显而易见，上述实施方式仅为本实用新型的较佳实施方式，任何在此基础上的简单改进均属于本实用新型的保护范围。