[实用新型]微波单片集成宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种微波单片集成宽带低噪声放大器，包括串联耦接的第一晶体管M1和第二晶体管M2，其特征在于：还包括输入阻抗电路、输出阻抗电路、并联反馈电路和偏置电路；所述偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路；所述输入阻抗电路分别与所述第一晶体管M1、所述自偏置电路和信号输入端连接；所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2之间设置有级间匹配电路；所述第二晶体管M2分别与所述并联反馈电路和所述输出阻抗电路连接，所述输出阻抗电路的输出端与信号输出端连接；所述电流复用偏置电路分别与所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2连接。

2.根据权利要求1所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述第二晶体管的漏极经负载电感L_d2与电源连接。

3.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述输入阻抗电路包括第一电容C_in和第一电感L_in，所述第一电容C_in一端与信号输入端连接，一端与第一电感L_in连接；所述第一电感L_in的另一端与第一晶体管M1的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述自偏置电路包括第二电感L_g1、第二电容C_g1和第一电阻R_g1，所述第二电感L_g1一端与第一电感L_in连接，另一端分别与第二电容C_g1和第一电阻R_g1连接；所述第二电容C_g1和第一电阻R_g1并联后接地。

5.根据权利要求4所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述自偏置电路还包括第三电感L_s1、第三电容C_s1和第二电阻R_s1；所述第三电感L_s1一端与第一晶体管M1连接，另一端分别与第三电容C_s1和第二电阻R_s1连接；所述第三电容C_s1和第二电阻R_s1并联后接地。

6.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述电流复用偏置电路包括连接于所述第一晶体管M1漏极和所述第二晶体管M2源极之间的第四电感L₂。

7.根据权利要求2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述级间匹配电路包括第四电容C₁、第五电感L₁；所述第五电感L₁一端与第二晶体管M2的栅极连接，另一端与第四电容C₁连接；所述第四电容C₁另一端与第一晶体管漏极M1的栅极连接。

8.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述并联反馈电路包括依次串联在一起的第一反馈电阻R_f、第一反馈电感L_f和第一反馈电容C_f，所述第一反馈电容C_f的另一端与第二晶体管M2的栅极连接，第一反馈电阻R_f的另一端与第二晶体管M2的漏极连接。

9.根据权利要求2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述偏置电路还包括第一分压电阻R_d1、第二分压电阻R_d2和第一隔离电阻R₁，所述第一分压电阻R_d1一端与电源连接，另一端分别与第二分压电阻R_d2和第一隔离电阻R₁连接；所述第二分压电阻R_d2另一端接地，所述第一隔离电阻R₁另一端与第二晶体管M2的栅极连接。

10.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述输出阻抗电路包括第五电容C_out和第六电感L_out，所述第五电容C_out一端与第二晶体管M2的漏极连接，另一端与第六电感L_out连接；所述第六电感L_out另一端与信号输出端连接。