[实用新型]LED日光灯有效

专利信息
申请号: 201420350258.X 申请日: 2014-06-26
公开(公告)号: CN204062544U 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 郑清奇 申请(专利权)人: 集优光电股份有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V17/00;F21V23/00;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: led 日光灯
【说明书】:

技术领域

本新型是有关一种日光灯,特别是一种LED日光灯的构造。

背景技术

LED日光灯是利用发光二极体(light-emitting diode,LED)作为光源的照明用日光灯,和传统采用气体荧光式的日光灯相较,发光二极体(LED)具有较高的发光效率、低辐射、低耗电、寿命长、低驱动电压、启动快速、环保、抗震抗压、灯具可小型化等优点。近年来,由于发光二极体的制作技术提高,高功率、高光度的发光二极体已成功的开发完成,基于绿能与环保的理想,已有厂商开始推出使用发光二极体作为光源的LED日光灯。由于单颗发光二极体的光度比传统日光灯低很多,所以一个LED日光灯通常会包含多颗发光二极体。

由于发光二极体是使用直流电(DC)驱动,与现有以交流电驱动的传统日光灯不同,所以LED日光灯内通常设置有转换电路,用以将交流电(AC)转为直流电进而驱动和点亮发光二极体。此外,由于高温会损坏发光二极体,所以LED日光灯的构造应特别重视散热的问题,以避免发光二极体因不耐高温而损坏。另一方面,为了与现有的使用传统日光灯的灯具兼容,还需要重新设计LED日光灯的结构,令LED日光灯可在加装转换电路及/或相关的安定电路后,能直接安装于传统日光灯的灯具。

已知的LED日光灯例如:已核准的中国台湾新型专利M465533,提出了一种LED日光灯,包括:一灯壳、一散热架、一LED模块及两插头;该散热架具有一散热空间及至少两轨道,该LED模块具有LED电路板,各LED电路板穿设于前述的散热架的相对应的轨道中;这种设计的LED电路板与散热架之间通常存在有间隙而无法完全接触,而且LED电路板与散热架的接触面积较小,致使LED电路板通过散热架散热的效果不佳。

另外在已核准公告的中国台湾发明专利I402454,提出了一种LED日光灯,包括散热基座、固定于散热基座上的灯罩和光源基板。光源基板上设置有发光二极体,散热基座上形成有一凹部,光源基板设置在所述凹部内,光源基板与散热基座之间通过高导热性的导热胶带相贴合,用以将光源基板产生的热量传导至散热基座;这种技术虽然可以改善光源基板与散热基座的热传效果,但是需要额外的增加贴附导热胶带的成本与工时。

发明内容

本新型的目的之一在提出一种具有较佳的散热效果的LED日光灯。

为实现上述的目的,本新型提出的LED日光灯的一种实施例构造,包括:散热壳、装设于散热壳的灯罩和LED电路板,以及装设于散热壳和灯罩的两端的电接头与LED电路板电连接;散热壳具有至少一导热板,在导热板的两侧边缘具有可以被压铆变形的压合边,LED电路板包含分别位于相对侧面的第一表面和第二表面,LED电路板的第一表面具有印刷电路和多个与印刷电路电连接的发光二极体,LED电路板的第二表面与导热板接触,利用可被铆压变形的压合边将LED电路板的两侧边缘朝向导热板的上表面压制,令LED电路板的第二表面能与导热板接触,进而通过导热板及散热壳获得较佳的散热效果。

在本新型的一实施例,散热壳还具有一支撑肋和一散热板,散热板的两侧边缘分别与导热板的两侧边缘连接,支撑肋用以支撑散热板,通过散热板和支撑肋可以增加散热壳的散热面积及散热的效果。

在本新型的一实施例,是在压合边的多点位置进行压铆操作以形成多个压制点,用以将LED电路板的两侧边缘朝向导热板的上表面压制,令LED电路板的第二表面能与导热板接触,进而通过导热板获得较佳的散热效果。

有关本新型的其他功效及实施例的详细内容,将配合图式说明如下。

附图说明

图1,为本新型LED日光灯的一实施例的构造分解图。

图2,为图1的实施例的组合构造图。

图3,为图2中在A-A位置的构造断面图。

图4,为本新型LED日光灯的另一实施例构造图,绘示在第一压合边和第二压合边的多点位置进行压铆操作以形成多个压制点。

符号说明

10   散热壳

11   导热板

12   上表面

13   下表面

14a  第一压合边

14b  第二压合边

15   滑槽

16   支撑肋

17   散热板

20   灯罩

21   突出肋条

30   LED电路板

31   第一表面

32   第二表面

40   电接头

50   发光二极体

P    压制点

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