[实用新型]一种即插型接口电路及调试板连接装置有效

专利信息
申请号: 201420350353.X 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN203933598U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 徐照明 申请(专利权)人: 青岛歌尔声学科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 代理人: 邵新华
地址: 266061 山东省青岛市崂山区秦*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 即插型 接口 电路 调试 连接 装置
【权利要求书】:

1.一种即插型接口电路,其特征在于:包括至少一组用于连接两针插接件的接口电路,所述接口电路包括第一开关电路、第二开关电路、以及第三开关电路,所述第一开关电路的控制信号输入端与调试板的调试信号输出端连接,所述第二开关电路和第三开关电路的信号输入端分别连接第一开关电路的控制信号输出端后与直流电压源连接,所述第二开关电路和第三开关电路的输出端分别一一对应连接有一板间连接端子,所述第一开关电路控制所述第二开关电路和第三开关电路同步导通或者断开。

2.根据权利要求1所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第一开关电路包括第一NPN型三极管(Q1),所述第一NPN型三极管(Q1)的基极与调试板的调试信号输出端连接,所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极为控制信号输出端,与所述直流电压源连接,所述第一NPN型三极管(Q1)的发射极连接地端。

3.根据权利要求2所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第二开关电路包括第二NPN型三极管(Q2),所述第二NPN型三极管(Q2)的基极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的集电极与一板间连接端子连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的发射极连接地端,和/或,

所述的第三开关电路包括第三NPN型三极管(Q3),所述第三NPN型三极管(Q3)的基极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的集电极与另外一板间连接端子连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的发射极连接地端。

4.根据权利要求2所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第二开关电路包括第二NMOS管(T2),所述第二NMOS管(T2)的栅极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第二NMOS管(T2)的漏极与一板间连接端子连接,所述第二NMOS管(T2)的源极连接地端,和/或,

所述的第三开关电路包括第三NMOS管(T3),所述第三NMOS管(T3)的栅极与所述第一NPN型三极管(Q1)的集电极连接,所述第三NMOS管(T3)的漏极与另外一板间连接端子连接,所述第三NMOS管(T3)的源极连接地端。

5.根据权利要求1所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第一开关电路包括第一NMOS管(T1),所述第一NMOS管(T1)的栅极与调试板的调试信号输出端连接,所述第一NMOS管(T1)的漏极为控制信号输出端,与所述直流电压源连接,所述第一NMOS管(T1)的源极连接地端。

6.根据权利要求5所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第二开关电路包括第二NPN型三极管(Q2),所述第二NPN型三极管(Q2)的基极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的集电极与一板间连接端子连接,所述第二NPN型三极管(Q2)的发射极连接地端,和/或,

所述的第三开关电路包括第三NPN型三极管(Q3),所述第三NPN型三极管(Q3)的基极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的集电极与另外一板间连接端子连接,所述第三NPN型三极管(Q3)的发射极连接地端。

7.根据权利要求5所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第二开关电路包括第二NMOS管(T2),所述第二NMOS管(T2)的栅极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第二NMOS管(T2)的漏极与一板间连接端子连接,所述第二NMOS管(T2)的源极连接地端,和/或,

所述的第三开关电路包括第三NMOS管(T3),所述第三NMOS管(T3)的栅极与所述第一NMOS管(T1)的漏极连接,所述第三NMOS管(T3)的漏极与另外一板间连接端子连接,所述第三NMOS管(T3)的源极连接地端。

8.根据权利要求1-7任一项所述的即插型接口电路,其特征在于:所述的第一开关电路的控制信号输出端与直流电压源之间串联有一限流电阻。

9.一种调试板连接装置,包括即插型接口电路,以及与所述即插型接口电路输出端一一对应连接的板间连接端子,其特征在于,所述即插型接口电路为如权利要求1-8任一项所述的即插型接口电路。

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