[实用新型]触控感应单元及触控装置有效
申请号: | 201420350815.8 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN203930746U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 高国峯;林胜文;巫柏毅;吴湘婷 | 申请(专利权)人: | 宸盛光电有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国香港铜锣湾希慎道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 单元 装置 | ||
1.一种触控感应单元,其特征在于,该触控感应单元包含:
一基材;及
多个触控电极,设于该基材上,用以产生触控感应讯号,所述触控电极各包括
一绝缘层,具绝缘性及透光性,及
多个纳米导电结构,设置于该绝缘层中,且各具有一金属主体,各该金属主体具有粗糙表面且彼此形成电连接。
2.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:各该金属主体的表面粗糙度介于2纳米至20纳米之间。
3.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。
4.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:各该金属主体的粗糙表面是由电子束蚀刻技术、离子束蚀刻技术或化学蚀刻技术加工而成。
5.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。
6.根据权利要求5所述的触控感应单元,其特征在于:该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层,该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间,且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。
7.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:所述纳米导电结构还分别包括一吸光构造,所述吸光构造具低反光性,并分别设置于所述金属主体的表面。
8.根据权利要求1或7所述的触控感应单元,其特征在于:各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。
9.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:所述触控电极为间隔地设置于该基材上。
10.根据权利要求1所述的触控感应单元,其特征在于:所述触控电极的绝缘层彼此相连,且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。
11.一种触控感应单元,其特征在于,该触控感应单元包含:
一基材;及
多个触控电极,设于该基材上,用以产生触控感应讯号,所述触控电极各包括
一绝缘层,具绝缘性及透光性,及
多个纳米导电结构,设置于该绝缘层中且彼此形成电连接,并分别具有
一金属主体,及
一吸光构造,具低反光性,设置于该金属主体的表面。
12.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。
13.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:该吸光构造为包覆该金属主体表面的抗反射层。
14.根据权利要求11或13所述的触控感应单元,其特征在于:该吸光构造的材质为色料、硫化银或氧化铜。
15.根据权利要求13所述的触控感应单元,其特征在于:该吸光构造是通过色料染色技术或化学合成技术,在该金属主体的表面制作而成。
16.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:该吸光构造为附着在该金属主体表面的多个抗反射颗粒。
17.根据权利要求11或16所述的触控感应单元,其特征在于:该吸光构造的材质为导电碳黑。
18.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。
19.根据权利要求18所述的触控感应单元,其特征在于:该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层,该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间,且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。
20.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。
21.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:所述触控电极为间隔地设置于该基材上。
22.根据权利要求11所述的触控感应单元,其特征在于:所述触控电极的绝缘层彼此相连,且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。
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