[实用新型]一种晶格匹配的LED外延结构有效
| 申请号： | 201420351797.5 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN204102922U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李天保;韩蕊蕊;马淑芳;田海军;关永莉 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 041600 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 匹配 led 外延 结构 | ||
1.一种晶格匹配的LED外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上，由下至上依次设置有AlxGa1-x-yInyN成核层、未掺杂的AlxGa1-x-yInyN层、n型掺杂的AlxGa1-x-yInyN层、InaGa1-aN阱层和AlxGa1-x-yInyN垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的AlxGa1-x-yInyN层；各层的AlxGa1-x-yInyN的晶格常数与多量子阱发光层的阱层InaGa1-aN的晶格常数相同，各层的AlxGa1-x-yInyN的带隙宽度大于多量子阱发光层的阱层InaGa1-aN的带隙宽度。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的成核层为AlxGa1-x-yInyN，其厚度为30nm-50nm，x取值范围：0.5≤x≤0.65，y取值范围：0.2≤y≤0.4。
3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的未掺杂为AlxGa1-x-yInyN，其厚度为1μm-2.5μm，x取值范围：0.5≤x≤0.65，y取值范围：0.2≤y≤0.4。
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的n型掺杂层为AlxGa1-x-yInyN，其厚度为1μm-2.5μm，x取值范围：0.5≤x≤0.65，y取值范围：0.2≤y≤0.4。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的n型掺杂的AlxGa1-x-yInyN层由高低掺杂区两部分构成，先生长1μm-2.2μm的高掺杂层，后生长0.1μm-0.3μm的低掺杂层，高掺杂层的Si掺杂浓度是8×1018cm-3-2×1019cm-3，低掺杂层的Si掺杂浓度是1×1017cm-3-3×1017cm-3。
6.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的多量子阱发光层由1-15个周期的间隔布置的InaGa1-aN阱层和AlxGa1-x-yInyN垒层叠加组成；其总厚度为10nm-300nm；a取值范围：0.1≤a≤0.25，x取值范围：0.5≤x≤0.65，y取值范围：0.2≤y≤0.4。
7.所根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述的P型掺杂层为AlxGa1-x-yInyN，其厚度为100nm-250nm，x取值范围：0.5≤x≤0.65，y取值范围：0.2≤y≤0.4。
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