[实用新型]非挥发性的光学记忆单元结构有效
| 申请号： | 201420354906.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203941358U | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李燕;徐超;余辉;杨建义;江晓清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 光学 记忆 单元 结构 | ||
【权利要求书】：
1. 一种非挥发性的光学记忆单元结构，遂穿层（4）、电荷存储层（3）、阻挡层（2）和控制栅层（1）依次生长于光波导（5）上，其特征在于：还包括用于增大传输模式的有效折射率调制范围的石墨烯层（9）。
2. 根据权利要求1所述的一种非挥发性的光学记忆单元结构，其特征在于：所述的石墨烯层（9）放置于遂穿层（4）和光波导（5）之间，作为导电沟道。
3. 根据权利要求1所述的一种适非挥发性的光学记忆单元结构，其特征在于：所述的石墨烯层（9）放置于遂穿层（4）和电荷存储层（3）构成的电容之间或者电荷存储层（3）和控制栅层（1）构成的电容之间。
4. 根据权利要求1所述的一种非挥发性的光学记忆单元结构，其特征在于：所述的石墨烯层（9）代替控制栅层（1）。
5. 根据权利要求1所述的一种非挥发性的光学记忆单元结构，其特征在于：所述的石墨烯层（9）代替电荷存储层（3）。
6. 根据权利要求1所述的一种非挥发性的光学记忆单元结构，其特征在于：所述的光学记忆单元应用于光开关、微环、Y分支器、Mach-Zehder干涉器或耦合器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420354906.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
