[实用新型]像素结构及显示装置有效

专利信息
申请号: 201420360282.1 申请日: 2014-07-01
公开(公告)号: CN203909442U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 高会朝 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1333;G02B27/22
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 结构 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于显示领域,特别是涉及一种像素结构及显示装置。

背景技术

随着触摸屏技术逐渐成熟,具有触摸功能的TFT越来越受到消费者的青睐。但是现有的具有触摸功能的TFT不仅制作工艺复杂,制作成本较高,且显示效果为2D显示,随着3D显示效果风靡全球,人们对于具有3D显示效果的触摸屏比较期待。

如何将3D显示与触摸技术结合在一起,已成为一种急需解决的技术问题。

实用新型内容

为了解决现有的显示装置不能将3D显示与触摸技术结合在一起,本实用新型提供了一种像素结构及显示装置。

本实用新型采用的技术方案是:一种像素结构,包括:

像素开关,包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源层,所述上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构,所述下层源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构,所述上层源极和下层源极相连接;

触摸单元,用于获取触摸位置信号,所述触摸单元的输出端分别与上层源极、下层源极相连接,用于将触摸位置信号分别传输到底栅TFT结构和顶栅TFT结构;

像素电极,包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一子像素电极与上层漏极相连接,用于接收所述顶栅TFT结构传输过来的第一信号,所述第二子像素电极与所述下层漏极相连接,用于接收所述底栅TFT结构传输过来的与第一信号不同步的第二信号。

本实用新型还提供了一种显示装置,包括所述的像素结构。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的像素结构将触摸信号转化成电信号,产生的电信号传输给不同的子像素电极,由于像素开关具有顶栅TFT结构和底栅TFT结构的设计,使得给子像素电极的信号的传输具有不同步性,最终的显示画面为立体结构,实现3D显示效果。本实用新型集触摸技术和3D显示技术于一体,不仅制作工艺比较简单,而且提高了屏幕的分辨率。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例的像素结构形成光敏开关栅电极的示意图;

图2为本实用新型一种实施例的像素结构形成电容电极的示意图;

图3为本实用新型一种实施例的像素结构形成光敏开关的绝缘层的示意图;

图4为本实用新型一种实施例的像素结构形成底栅TFT结构的源漏极的示意图;

图5为本实用新型一种实施例的像素结构形成底栅TFT结构的有源层以及光敏开关有源层的示意图;

图6为本实用新型一种实施例的像素结构形成光敏开关的感应TFT的源漏极的示意图;

图7为本实用新型一种实施例的像素结构形成光敏开关TFT的源漏极的示意图;

图8为本实用新型一种实施例的形成光敏开关的绝缘层的示意图;

图9为本实用新型一种实施例的像素结构形成栅极的示意图;

图10为本实用新型一种实施例的像素结构形成栅绝缘层的示意图;

图11为本实用新型一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的有源层的示意图;

图12为本实用新型一种实施例的像素结构形成TFT开关的过孔示意图;

图13为本实用新型一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的源漏极的示意图;

图14为本实用新型一种实施例的像素结构形成顶栅TFT结构的上层绝缘层的示意图;

图15为本实用新型一种实施例的像素结构形成遮光层的示意图;

图16为本实用新型一种实施例的像素结构形成外围钝化层的示意图。

图中,1基板,2第一栅电极,3电容的第一电极,4第一绝缘层,5下层源极,6第一有源层,7第一源极,8第二漏极,9第二绝缘层,10第三栅电极,11栅绝缘层,12上层有源层,13上层源极,14上层绝缘层,15第一遮光层,16外围钝化层,17第二栅电极,18下层漏极,19第二有源层,20下层有源层,21第一漏极,22第二源极,23上层漏极,24第二遮光层。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图16所示,为本实用新型一种实施例的像素结构的示意图,该像素结构包括:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420360282.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code