[实用新型]一种像素AEC平板探测器有效
申请号: | 201420360341.5 | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN203983285U | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 郑金磊;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 aec 平板 探测器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种DR数字平板系统,特别是涉及一种像素AEC平板探测器。
背景技术
AEC,全称Automatic Exposure Control,意为自动曝光控制,它是一种被用在X射线成像系统中的图像曝光剂量控制技术。其目的是为了在保障图像质量的前提下减少病人所承受的X射线辐照剂量。通常一个AEC装置被放置在被诊断病体与平板探测器之间,当然也有AEC装置被放置在平板探测器之下。AEC装置检测到穿过被诊断病体的X射线后,产生一个电信号,由于该电信号正比于平板探测器所接收到的X射线总剂量,所以它被用来标识平板探测器所接收的X射线辐照量是否达标,一旦该电信号认为曝光剂量已经足够,AEC装置将立即发出曝光结束指令,高压发生器接收到指令后立即停止曝光。
自动曝光摄影的出现使得医生只需要根据被照体的厚度、生理及病理特征给定合适电压条件,DR系统就能准确地自动控制X射线剂量获得适当的感光量,保证优质的摄影效果。AEC技术的应用,让医生不需要丰富的临床经验就能够较快地熟练有效的使用DR系统。它不仅有效地减少了多数基层医院因医生操作不当或技术不高而导致的需要重复进行X射线检查的难题,大大地降低了医护人员和患者所接受的X射线辐射剂量,而且同时还能保证获得优质的影像,使临床诊断的效果得到充分的保障。
目前实现AEC的常见独立装置是电离室探测器,例如在U,S,Pat.No.5680430“Method and apparatus for controlling and optimizing output of an x-ray source”一文中,其利用电离室探测器来控制X射线发生器的输出,以达到优化到达X射线接收器的射线辐照强度,并同时利用电离室探测器所产生的电信号来进行自动曝光控制;U.S.Pat.No.7359482“X-ray detector system”所展示的移动X射线探测器系统中辐照剂量的监控就是由电离室来完成,通过将其放置在X射线探测器上面实时监测X射线的辐照量。在DR系统中,按照放置位置又分为前置电离室探测器和后置电离室探测器,前者是电离室探测器被放置在被诊断病体与平板探测器之间,电离室被分为几个相互独立的子电离室,其目的是为了提高前置电离室探测器的可靠性,因为子电离室既能够输出独立的曝光控制信号,也能够输出结合曝光控制信号。但是前置电离室探测器最大的缺点就是导致穿过电离室的X射线发生丢失或者衰减,进而引起下方的平板探测器发生局部信号丢失,所以构建前置电离室探测器必须保证其对X射线的影响不足以在平板探测器生成的图像中显现电离室的影像。后置电离室探测器是把电离室探测器放置于平板探测器之下,这种电离室不会影响到平板探测器的入射X射线,但是X射线穿过平板探测器之后,射线数量大大减少,射线被衰减,对电离室探测器而言,电离室的厚度需要被大幅增加来提高电离室探测器的灵敏度,但是这将使整个成像系统变得更笨重。
另一种行业内常用的方法是放置一个光敏传感器,来收集从图象倍增管输出处的图像门中泄露出来的一部分光,通过评估亮度等级来进行自动曝光控制。但是这种方法只适用于使用图像倍增管的X射线探测系统,而且其最大的缺陷是将光收集器件放置于成图路径上,在一些特定的成图条件下光收集器会引起图像干扰。除此之外,这种AEC方法也不适用于固态大面积X射线探测器,这是因为固态大面积X射线探测器系统不像图像倍增管X射线探测器系统那样,有一个微型化的光图像化器件,依靠此器件,光可以很容易的被收集,例如,U.S.Pat.No.4996413“Apparatus and Method for Reading Data from An Image Detector”就不能使用这种AEC方法,其图像探测器正是大面积固态X射线探测器类型。
大面积固态X射线探测器现在已经成为X射线探测领域的主体,与其搭配的全新AEC方法也已经被开发或者在专利中被阐述。下面将展示几种美国专利局所收录的最新AEC方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的