[实用新型]包含流体路径的MEMS器件及设备有效

专利信息
申请号: 201420365209.3 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN204384864U 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: D·法拉里;B·维格纳;L·M·卡斯托尔迪 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C3/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 包含 流体 路径 mems 器件 设备
【权利要求书】:

1.一种MEMS器件,其特征在于,包括:

第一半导体裸片,具有第一面和第二面;

薄膜,形成在所述第一半导体裸片中或形成在所述第一半导体裸片上,并且面向所述第一面;

帽体,耦合至所述第一半导体裸片,所述帽体具有面向所述第一半导体裸片的所述第一面并且与所述薄膜间隔开一定空间的内表面,所述帽体具有与所述内表面相对的外表面;

支撑体,耦合至所述第一半导体裸片并且面向所述第一半导体裸片的所述第二面;

封装材料,包封所述帽体的所述外表面和部分所述第一半导体裸片;以及

流体路径,延伸通过所述支撑体和所述第一半导体裸片,并且将所述薄膜流体耦合至所述MEMS器件外部的环境。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,还包括弹性元件,其中所述第一半导体裸片包括由沟槽彼此隔开的悬置区域和外围区域,所述悬置区域支撑所述薄膜并且通过所述弹性元件耦合至所述外围区域,其中所述弹性元件延伸进入所述沟槽并且与所述悬置区域和所述外围区域单片形成。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件,其特征在于,所述流体路径包括所述沟槽、延伸通过所述支撑体的第一孔、以及在所述薄膜和所述帽体之间的所述空间。

4.根据权利要求3所述的MEMS器件,其特征在于,还包括第二半导体裸片,所述第二半导体裸片位于所述第一半导体裸片和所述支撑体之间,所述第二半导体裸片具有第二孔,所述第二孔是所述流体路径的一部分,所述第二裸片包括处理电路。

5.根据权利要求2所述的MEMS器件,其特征在于,所述悬置区域具有第一厚度并且所述外围区域具有第二厚度,所述第一厚度小 于所述第二厚度,所述MEMS器件还包括位于所述悬置区域之下并且在所述流体路径中的空气间隙。

6.根据权利要求2所述的MEMS器件,其特征在于,所述悬置区域和所述外围区域具有相同厚度,所述MEMS器件还包括位于所述第一半导体裸片的所述第二面的至少一部分之上以形成间隙的间隔体层,所述间隙是所述流体路径的一部分。

7.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,所述第一半导体裸片和所述薄膜一起形成压力传感器、湿度传感器、流量传感器、环境传感器、气体传感器、微流体器件和微型化麦克风中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的MEMS器件,其特征在于,所述薄膜仅通过所述流体路径流体耦合所述MEMS器件外部的环境。

9.一种设备,其特征在于,包括:

处理单元;

输入/输出接口,耦合至所述处理单元;

存储器器件,耦合至所述处理单元;

电路板;以及

多个粘合区域;

MEMS器件,通过所述多个粘合区域固定至所述电路板,所述多个粘合区域彼此间隔开并且形成间隙,所述MEMS器件包括:

第一半导体裸片,具有第一面和第二面以及从所述第一面延伸至所述第二面的沟槽;

薄膜,形成在所述第一半导体裸片中或形成在所述第一半导体裸片上,并且面向所述第一面;

帽体,耦合至所述第一半导体裸片,所述帽体具有内表面以及与所述内表面相对的外表面,所述内表面面向所述薄膜并且与所述薄膜间隔开一定空间;

支撑体,具有耦合至所述第一半导体裸片的通孔并且面向所述第一半导体裸片的所述第二面,所述支撑体的所述通孔与所述第一 半导体裸片的所述沟槽流体连通;

封装材料,在所述帽体的整个外表面和部分所述第一半导体裸片上;以及

流体路径,包括所述支撑体的所述通孔、所述第一半导体裸片的所述沟槽、所述MEMS器件和所述电路板之间的所述间隙,所述流体路径将所述薄膜布置为与所述MEMS器件外部的环境流体连通。

10.根据权利要求9所述的设备,其特征在于,所述多个粘合区域是导电粘合区域。

11.根据权利要求9所述的设备,其特征在于,还包括第二半导体裸片,所述第二半导体裸片位于所述支撑体和所述第一半导体裸片之间,所述第二半导体裸片电耦合至所述第一半导体裸片并且包括集成电路。

12.根据权利要求11所述的设备,其特征在于,还包括导电接线,其中所述第二半导体通过所述导电接线电耦合至所述第一半导体裸片。

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