[实用新型]基板结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及触控技术领域，尤指一种用于触控面板的基板结构。

背景技术

随着触控技术的发展，透明电极常应用于各式各样的触控面板中。透明电极可搭配触控面板设置各种导电图案，理想上透明电极具有高穿透率，并不会因导电图案的设置而影响视觉效果。然而，由于透明电极与其上下层材料的折射率差异，往往会导致设置有导电图案的区域具有较高的反射率，而具有较低的穿透率，而未设置有导电图案的区域则具有较高的穿透率，使用者因而可以看见导电图案(pattern visibility)。如何改善导电图案的可视问题，进而降低导电图案对于触控面板外观的影响乃触控面板产业的一项课题。

实用新型内容

为了解决上述导电图案可视的问题，克服现有技术的不足，本实用新型利用渐变折射率之多层膜，将多层膜设置于导电图案与其上下层材料之间，以减少导电图案与其上下层材料的折射率差异，进而降低折射率差异所致的反射率，以此改善导电图案的可视性(pattern visibility)，并且降低导电图案对于触控面板外观的影响。

本实用新型之一态样提供了一种基板结构，基板结构包含基板、导电图案、第一层迭结构以及钝化层。导电图案位于基板上。第一层迭结构位于导电图案与基板上，其中第一层迭结构包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，第一上薄膜邻接导电图案与基板，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆栈。钝化层位于第一层迭结构上，第三上薄膜邻接钝化层，其中导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一层迭结构包含设置于第三上薄膜上之第四上薄膜和第五上薄膜，导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜、第四上薄膜、第五上薄膜和钝化层之折射率依序递减。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一上薄膜、第二上薄膜以及第三上薄膜分别包含第一元素与第二元素，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜分别具有重量比值，重量比值为第一元素的重量比第二元素的重量，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜的重量比值均不相同。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一元素为氮，第二元素为氧。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜之重量比值依序递减。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一层迭结构部份接触基板。

于本实用新型之一或多个实施例中，基板结构更包含第二层迭结构，第二层迭结构位于导电图案与基板之间，其中第二层迭结构包含第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜依序堆栈，第一下薄膜邻接基板，第三下薄膜邻接导电图案，基板、第一下薄膜、第二下薄膜、第三下薄膜和导电图案之折射率依序递增。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜包含第一元素与第二元素，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜分别具有重量比值，重量比值为之第一元素的重量比第二元素的重量，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜的重量比值均不相同。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一层迭结构为透明绝缘层。

于本实用新型之一或多个实施例中，第一层迭结构之厚度范围为30纳米(nm)至150纳米(nm)。

附图说明

图1是本实用新型之一实施例中的基板结构之剖面图。

图2A至2C是本实用新型之多个实施例中的导电图案之上视图。

图3是本实用新型之另一实施例中的基板结构之剖面图。

图4是本实用新型之再一实施例中的基板结构之剖面图。

图5A至5G分别是本实用新型之又一实施例中的基板结构之制作方法之示意图。

具体实施方式

以下将以图式揭露本实用新型之多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式为之。

关于本文中所使用之「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值之误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。