[实用新型]一种OLED显示器有效
申请号: | 201420378386.5 | 申请日: | 2014-07-09 |
公开(公告)号: | CN204167324U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示器。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示器是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、易形成柔性结构、视角宽等优点;因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
从结构上来划分,OLED可以被分为顶发射OLED显示器和底发射OLED显示器。对于底发射OLED显示器,如图1所示,包括依次设置在衬底基板10上的透明阳极11、有机材料功能层30、不透明金属阴极12。由于底发射OLED显示器的阳极是透明的,所以微腔效应在底发射OLED显示器中的表现并不明显,同顶发射相比底发射的视角要大一些。
然而,虽然底发射OLED显示器的视角相对顶发射OLED显示器来说要大一些,但是,在实际使用中,人们还是希望所使用的OLED显示器具有更大的视角以满足不同的角度观看的需求。
实用新型内容
本实用新型提供一种OLED显示器,可提高OLED显示器的视角。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
提供一种OLED显示器,包括多个子像素单元,每个所述子像素单元均包括依次设置在衬底基板上的第一电极、有机材料功能层、第二电极;进一步所述子像素单元还包括:设置在所述衬底基板和所述第一电极之间的第一缓冲层;其中,所述第一缓冲层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面具有凹陷的弧形形状;所述第一电极为透明电极,所述第二电极为不透明金属电极。
优选的,所述第一缓冲层的厚度为2μm~5μm。
优选的,所述第一缓冲层的材料包括聚酰亚胺胶。
基于上述,优选的,所述子像素单元还包括设置在所述衬底基板和所述第一缓冲层之间的薄膜晶体管。
进一步优选的,所述第一电极至少通过设置在所述第一缓冲层上的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
优选的,所述OLED显示器还包括设置在所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的第二缓冲层,所述第二缓冲层与所述衬底基板接触。
进一步的,所述第二缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种。
本实用新型提供了一种OLED显示器,所述OLED显示器包括多个子像素单元,每个所述子像素单元均包括依次设置在衬底基板上的第一电极、有机材料功能层、第二电极;进一步所述子像素单元还包括:设置在所述衬底基板和所述第一电极之间的第一缓冲层;其中,所述第一缓冲层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面具有凹陷的弧形形状;所述第一电极为透明电极,所述第二电极为不透明金属电极。
本实用新型通过将所述第一缓冲层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面设置成具有凹陷的弧形形状,以使所述第二电极的表面形成具有凹陷的弧形形状,这样从有机材料功能层的发光层发出的光在到达不透明的第二电极表面时,会使反射光更加发散的从透明的第一电极一侧出射,从而使得不同角度的光的出射率增加,进而增大了所述OLED显示器的视角以及发光强度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种OLED显示器的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种OLED显示器的结构示意图一;
图3为本实用新型实施例提供的一种OLED显示器实现出射光视角增大的示意图;
图4为本实用新型实施例提供的一种OLED显示器的结构示意图二;
图5为本实用新型实施例提供的一种OLED显示器的结构示意图三;
图6为本实用新型实施例提供的一种制备OLED显示器的流程示意图;
图7-图9为本实用新型实施例提供的一种形成表面具有凹陷的弧形形状的第一缓冲层的过程示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的