[实用新型]一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备有效
申请号: | 201420383726.3 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN204067313U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 谢振勇;成秋云;吴得轶;李晔纯;周顺峰 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;李发军 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 连续 真空 紫外光 臭氧 表面 清洗 氧化 改性 设备 | ||
1. 一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,包括工艺腔(3),以及设置在工艺腔(3)内的紫外光光源系统(5),其特征在于, 还包括预热腔(2)、冷却腔(4);所述预热腔(2)和冷却腔(4)壁面上开有保护气入口(14,16),所述工艺腔(3)壁面上开有氧气进气口(15);所述工艺腔(3)设置在预热腔(2)和冷却腔(4)之间并通过腔室门(11,12)隔开,所述预热腔(2)进料口和冷却腔(4)的出料口也设有相应的腔室门(10,13);所述预热腔(2)、工艺腔(3)、冷却腔(4)内以及预热腔(2)的进料口(8)和冷却腔(4)的出料口(9)处均设有可将被处理样品按需要从预热腔(2)进料口(8)传送至冷却腔(4)出料口(9)的上下料传送系统(1);所述预热腔(2)、工艺腔(3)、冷却腔(4)通过管道和阀门与真空系统(6,17)相连;所述预热腔(2)、工艺腔(3)内设有加热系统。
2. 根据权利要求1所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述工艺腔(3)内安装有真空传感器、温度传感器、臭氧浓度传感器。
3. 根据权利要求1所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述紫外光光源系统(5)采用一组具有特定波长的紫外光灯管,与被处理样品传送方向平行或者垂直排列而形成一个面光源。
4. 根据权利要求3所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述紫外光灯管上方装有反射板,在反射板上方设有冷却系统。
5. 根据权利要求1所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述真空系统采用两个真空泵,一个真空泵连接工艺腔(3),一个真空泵连接预热腔(2)和冷却腔(4)。
6. 根据权利要求1所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述上下料传送系统包括五组传送机构,一组位于进料口(8)处,一组位于出料口(9)处,预热腔(2)、工艺腔(3)、冷却腔(4)内各设有一组;每组传送机构均采用链轮和链条带动滚轴的传动方式,每根滚轴上安置多个小滚球,使小滚球仅与被处理样品两侧的边缘部分点接触。
7. 根据权利要求1所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,所述加热系统为设置在预热腔(2)的上下料传送系统和工艺腔(3)的上下料传送系统下方的平板式陶瓷加热片。
8. 根据权利要求2所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,还包括自动控制与检测系统,该自动控制与检测系统分别与所述真空传感器、温度传感器、臭氧浓度传感器通过信号线相连。
9. 根据权利要求5所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,各真空泵与相应的工艺腔(3)、预热腔(2)和冷却腔(4)相连的管道上均相应地装有挡板阀(18,19,20);与工艺腔(3)相连的真空泵与工艺腔(3)之间的连接管道上设有蝶阀(21)。
10. 根据权利要求3或4所述的连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备,其特征在于,相邻两根紫外光灯管间距为5mm~10mm,紫外光灯管与被处理样品之间的垂直距离为10mm~80mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造