[实用新型]MEMS加速度传感器的隔离硅墙有效
申请号: | 201420384106.1 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN204008695U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 戴忠伟 | 申请(专利权)人: | 广芯电子技术(上海)有限公司 |
主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 胡美强;王聪 |
地址: | 200030 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 加速度 传感器 隔离 | ||
1.一种MEMS单轴加速度传感器的隔离硅墙,其特征在于,该隔离硅墙位于该MEMS单轴加速度传感器的硅盖帽与硅基板键合形成的腔体的内部且形成于该MEMS单轴加速度传感器的硅基板上,该隔离硅墙的形状为一矩形框,该隔离硅墙的墙体垂直于该硅基板,该隔离硅墙的内侧套设有该MEMS单轴加速度传感器的检测质量块,该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米,该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度为9微米至13微米,该墙体高于该硅基板2微米至3微米。
2.如权利要求1所述的隔离硅墙,其特征在于,该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均相等。
3.如权利要求2所述的隔离硅墙,其特征在于,该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均等于2微米且该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度等于11微米,和/或,该检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均等于2微米且该墙体高于该硅基板2微米。
4.一种MEMS单轴加速度传感器,其特征在于,该MEMS单轴加速度传感器包括如权利要求1-3中任意一项所述的隔离硅墙、权利要求1中所述的硅盖帽、硅基板和检测质量块。
5.一种MEMS三轴加速度传感器,其特征在于,包括三个如权利要求4所述的MEMS单轴加速度传感器。
6.一种MEMS双轴加速度传感器的隔离硅墙,其特征在于,该隔离硅墙位于该MEMS双轴加速度传感器的硅盖帽与硅基板键合形成的腔体的内部且形成于该MEMS双轴加速度传感器的硅基板上,该隔离硅墙的墙体垂直于该硅基板,该隔离硅墙包括一第一矩形框和一第二矩形框,该第一矩形框和该第二矩形框共用一条边框,该第一矩形框的内侧套设有该MEMS双轴加速度传感器的第一检测质量块,该第二矩形框的内侧套设有该MEMS双轴加速度传感器的第二检测质量块,该第一检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米,该第二检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离为2微米至3微米,该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度为9微米至13微米,该墙体高于该硅基板2微米至3微米。
7.如权利要求6所述的隔离硅墙,其特征在于,该第一检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均相等,和/或,该第二检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均相等。
8.如权利要求7所述的隔离硅墙,其特征在于,该第一检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均等于2微米,和/或,该第二检测质量块的每个侧面到该隔离硅墙的最接近的墙面的距离均等于2微米。
9.如权利要求6-8中任意一项所述的隔离硅墙,其特征在于,该墙体在平行于该硅基板所在平面的方向上的宽度等于11微米,和/或,该墙体高于该硅基板2微米。
10.一种MEMS双轴加速度传感器,其特征在于,包括如权利要求6-9中任意一项所述的隔离硅墙、权利要求6所述的硅盖帽、硅基板、第一检测质量块和第二检测质量块。
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