[实用新型]一种循环水净化装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及水净化技术领域，更具体地说，特别涉及一种循环水净化装置。

背景技术

现有技术中的循环水净化大多数采用化学药物进行除垢和阻垢、杀菌等，这种方式会产生二次化学污染。因此，有必要设计一种新型结构的循环水净化装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种循环水净化装置，该循环水净化装置采用正负离子相互吸附后，除去水体中的水垢，避免了二次污染。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种循环水净化装置，所述循环水净化装置包括，

第一受控电极和第二受控电极，分别用于产生正负离子；

与第一受控电极和第二受控电极连接的主功率输出模块，用于驱动所述第一受控电极和第二受控电极产生正负离子；

与主功率输出模块连接的高频信号发生模块，用于产生一高频信号驱动主功率输出模块工作；

以及，与高频信号发生模块连接的主供电模块，用于为该循环水净化装置提供工作电源。

优选地，还包括与所述主供电模块连接的主控制模块，以及与主控制模块连接的在线水质监测仪，所述在线水质监测仪用于监测水质参数，所述主控制模块用于根据线水质监测仪所监测的水质参数控制高频信号发生模块输出的频率大小。

优选地，所述主功率输出模块包括第一功率输出电路及第二功率输出电路，所述第一功率输出电路与第一受控电极连接，所述第二功率输出电路与第二受控电极。

优选地，所述第一功率输出电路包括三极管Q1、Q2、Q7、Q8，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R12、R13，二极管D1、D2、D3、D4、D9、MOS管Q3、Q9、电容C1、C2、C3以及芯片IC1；其中，三极管Q1的基极与电阻R1连接，其发射极接地，其集电极与电阻R2连接；三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极连接，其发射极接地，其集电极通过电阻R4与芯片IC1的第10端子连接；三极管Q8的基极与电阻R3连接，其发射极接地，其集电极通过电阻R5与电阻R4连接；三极管Q7的基极与电阻R12连接，其发射极接地，其集电极与三极管Q8的基极连接；三极管Q2的集电极、三极管Q8的集电极还分别与芯片IC1的第12端子、第14端子连接；MOS管Q3的栅极通过相互并联的二极管D1和电阻R6后与芯片IC1的第8端子连接，其源极与芯片IC1的第6端子连接；MOS管Q9的栅极通过相互并联的二极管D9和电阻R13后与芯片IC1的第1端子连接，其源极与芯片IC1的第6端子连接；二极管D3和二极管D4串联后连接于MOS管Q3的漏极与MOS管Q9的漏极之间；电容C2连接在芯片IC1的第6端子和第7端子之间，二极管D2和电容C3串联后连接在芯片IC1的第7端子和第2端子之间，且第一受控电极6连接在芯片IC1的第6端子与地线之间。

优选地，所述第二功率输出电路包括三极管Q5、Q6、Q11、Q12，电阻R7、R8、R9、R10、R11、R16、R17、R18，二极管D5、D6、D7、D8、D10、MOS管Q4、Q10、电容C4、C5、C6以及芯片IC2；其中，三极管Q6的基极与电阻R11连接，其发射极接地，其集电极与电阻R10连接；三极管Q5的基极与三极管Q6的集电极连接，其发射极接地，其集电极通过电阻R8与芯片IC2的第7端子连接；三极管Q11的基极与电阻R17连接，其发射极接地，其集电极通过电阻R9与电阻R8连接；三极管Q12的基极与电阻R18连接，其发射极接地，其集电极与三极管Q11的基极连接；三极管Q11的集电极、三极管Q5的集电极还分别与芯片IC1的第3端子、第5端子连接；MOS管Q4的栅极通过相互并联的二极管D8和电阻R7后与芯片IC2的第9端子连接，其源极与芯片IC2的第11端子连接；MOS管Q10的栅极通过相互并联的二极管D10和电阻R16后与芯片IC2的第16端子连接，其源极与芯片IC2的第11端子连接；二极管D5和二极管D6串联后连接于MOS管Q4的漏极与MOS管Q10的漏极之间；电容C5连接在芯片IC3的第10端子和第11端子之间，二极管D7和电容C4串联后连接在芯片IC2的第10端子和第15端子之间，且第二受控电极7连接在芯片IC2的第11端子与地线之间。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型的循环水净化装置采用正负离子相互吸附后，除去水体中的水垢，避免了二次污染。

附图说明