[实用新型]日用瓷隧道窑预冷却装置有效

专利信息
申请号: 201420388836.9 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN203964650U 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 王广;王海林;魏晓光;闫彩青;方全 申请(专利权)人: 黄冈市华窑中浩窑炉有限公司
主分类号: F27B9/30 分类号: F27B9/30;F27D9/00
代理公司: 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 代理人: 蔡国
地址: 438000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 日用瓷 隧道窑 预冷 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及隧道窑冷却技术领域,更具体地说,特别涉及一种日用瓷隧道窑预冷却装置。

背景技术

日用瓷隧道窑主要用于对各种的用品进行烧成加工,对于日用瓷隧道窑来说,由于加工的产品不断变换,使得进窑产品的高度,稀密程度不断变化,进而导致在烧制过程中,窑内气流不稳定,容易发生烟气倒流,进而影响了烧制产品的质量,同时烧成带的气流直接进入冷却带,温差较大,气流流动较快,容易出现胚件的爆裂。故而,有必要对现有的日用瓷隧道窑结构进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可以防止烟气倒流、能够进行预冷以防止胚件爆裂的日用瓷隧道窑预冷却装置。

为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:

日用瓷隧道窑预冷却装置,包括烧成带和冷却带,所述烧成带和冷却带上分别设有烧成带窑顶结构和冷却带窑顶结构,还包括设于所述烧成带和冷却带之间的过渡带,所述过渡带的窑顶包括由下而上依次设置的氧化铝空心球砖层、高铝纤维毯和硅酸铝纤维毯,所述氧化铝空心球砖层的高度等于烧成带窑顶结构的高度,且氧化铝空心球砖层的高度低于冷却带窑顶结构的高度,且在过渡带与冷却带的一侧还设有防倒流槽,所述过渡带的窑顶还设有预冷却通道。

优选地,所述预冷却通道为两个,其分别设于过渡带的两端。

优选地,所述烧成带的烧成带窑顶结构上设有多个烟气通道,所述冷却带的冷却带窑顶结构上设有多个冷却通道。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:本实用新型一方面采用了过渡带,并在过渡带上设有防倒流槽和预冷却通道,可防止烟气的倒流,同时可对烧成带进入的气体进行预冷却,避免了温差过大而导致胚件爆裂的现象,另一方面采用保温的过渡带窑顶结构,可以避免过渡带内温度散失到外部而发生安全隐患。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型所述日用瓷隧道窑预冷却装置的结构示意图。

附图标记说明:1、烧成带,2、过渡带,3、冷却带,4、烟气通道,5、烧成带窑顶结构,6、氧化铝空心球砖层,7、高铝纤维毯,8、硅酸铝纤维毯,9、预冷却通道,10、防倒流槽,11、冷却带窑顶结构,12、冷却通道。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参阅图1所示,本实用新型提供的一种日用瓷隧道窑预冷却装置,包括烧成带1和冷却带3,所述烧成带1和冷却带3上分别设有烧成带窑顶结构5和冷却带窑顶结构11,还包括设于所述烧成带1和冷却带3之间的过渡带2,所述过渡带2的窑顶包括由下而上依次设置的氧化铝空心球砖层6、高铝纤维毯7和硅酸铝纤维毯8,所述氧化铝空心球砖层6的高度等于烧成带窑顶结构5的高度,且氧化铝空心球砖层6的高度低于冷却带窑顶结构11的高度,且在过渡带2与冷却带3的一侧还设有防倒流槽10,所述过渡带2的窑顶还设有预冷却通道9。

本实用新型的原理在于:本实用新型采用了过渡带2,并在过渡带2上设有防倒流槽10,防倒流槽10可以防止烟气的倒流,进一步提高产品的质量,同时设有的预冷却通道9可通入预冷却气体,进而对烧成带1进入的气体进行预冷却,避免了温差过大而导致胚件爆裂的现象;而采用保温的过渡带窑顶结构,即氧化铝空心球砖层6、高铝纤维毯7和硅酸铝纤维毯8的过渡带窑顶结构,可以避免过渡带2内温度散失到外部而发生安全隐患。

作为优选,本实用新型中所述的预冷却通道9为两个,其分别设于过渡带2的两端。

作为优选,本实用新型中所述的烧成带1的烧成带窑顶结构5上设有多个烟气通道4,烧成带1内的烟气可通过烟气通道4散出,所述的冷却带3的冷却带窑顶结构11上设有多个冷却通道12,可通过冷却通道12通入冷却气体以实现冷却带3内胚件的冷却。

虽然结合附图描述了本实用新型的实施方式,但是专利所有者可以在所附权利要求的范围之内做出各种变形或修改,只要不超过本实用新型的权利要求所描述的保护范围,都应当在本实用新型的保护范围之内。

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