[实用新型]电容结构以及堆叠型电容结构有效
| 申请号： | 201420389662.8 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN203950800U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄知澍;潘锡明;郑惟纲 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L25/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 结构 以及 堆叠 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
导电基板，所述导电基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一个第一凹陷；
第一介电层，覆盖所述第一表面以及所述第一凹陷；以及
第一金属层，覆盖所述第一介电层，其中所述第一介电层与所述第一金属层具有与所述第一凹陷相应的凹陷结构。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷的数量为两个以上。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：
第二介电层，其中所述导电基板还包括与所述第一表面相对的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一个第二凹陷，且所述第二介电层覆盖所述第二表面以及所述第二凹陷；以及
第二金属层，覆盖所述第二介电层，其中所述第二介电层与所述第二金属层具有与所述第二凹陷相应的凹陷结构。
4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷实质上与所述第二凹陷对齐。
5.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一凹陷实质上不与所述第二凹陷对齐。
6.一种堆叠型电容结构，其特征在于，包括至少两个权利要求1所述的电容结构，其中这些电容结构堆叠设置，而这些电容结构彼此并联，且任两个相邻的电容结构之间存在至少一个孔隙。
7.根据权利要求6所述的堆叠型电容结构，其特征在于，在沿着各所述导电基板的纵向方向上，所述堆叠型电容结构的长度实质上介于0.1公分至1.5公分之间。
8.根据权利要求6所述的堆叠型电容结构，其特征在于，在沿着各所述导电基板的横向方向上，所述堆叠型电容结构的宽度实质上介于0.1公分至1.5公分之间。
9.根据权利要求6所述的堆叠型电容结构，其特征在于，所述堆叠型电容结构还包括第一连接件以及第二连接件，各所述电容结构的导电基板及第一金属层分别电性连接至所述第一连接件及所述第二连接件。
10.根据权利要求6所述的堆叠型电容结构，其特征在于，所述堆叠型电容结构还包括第一连接件以及第二连接件，其中任两个相邻的电容结构的导电基板分别电性连接至所述第一连接件以及所述第二连接件。
11.根据权利要求6所述的堆叠型电容结构，其特征在于，至少部分所述电容结构各自还包括：
第二介电层，其中所述导电基板还包括与所述第一表面相对的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一个第二凹陷，且所述第二介电层覆盖所述第二表面以及所述第二凹陷；以及
第二金属层，覆盖所述第二介电层，其中所述第二介电层与所述第二金属层具有与所述第二凹陷相应的凹陷结构。
12.根据权利要求11所述的堆叠型电容结构，其特征在于，具有所述第二凹陷的电容结构的所述第一凹陷实质上与所述第二凹陷对齐。
13.根据权利要求11所述的堆叠型电容结构，其特征在于，具有所述第二凹陷的电容结构的所述第一凹陷实质上不与所述第二凹陷对齐。
14.根据权利要求11所述的堆叠型电容结构，其特征在于，所述堆叠型电容结构还包括第一连接件以及第二连接件，所述导电基板的其中之一电性连接至所述第一连接件，其对应的第一金属层和/或第二金属层电性连接至所述第二连接件。
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