[实用新型]用于温测组件的晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201420391490.8 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203967072U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 姜崇义;邱云贵 | 申请（专利权）人： | 佳霖科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 组件 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其特征在于：包括：
晶圆盖体，以红外线可穿透的材料所构成，所述晶圆盖体具有多个封装墙，且所述多个封装墙在所述晶圆盖体形成多个第一凹槽；以及
基板，包含多个芯片区、多个焊接区以及多个接脚区，所述多个芯片区分别设置温测芯片且分别对应所述多个第一凹槽，所述多个焊接区与所述多个封装墙相对应地焊接，使得所述多个芯片区与所述多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而所述多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述红外线可穿透的材料包含锗。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述多个封装墙包含多个封装环，而每个所述封装环所围的区域对应每个所述芯片区，而每个所述封装环的环墙对应每个所述焊接区。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含测试电路。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含凹状结构，所述凹状结构形状对应每所述封装墙的形状。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述接脚区分别透过所述焊接区的下方与所述温测芯片电性连接。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述封装墙为多层墙结构。
8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构，其特征在于：每个所述焊接区包含凹状结构，所述凹状结构的形状对应每个所述封装墙的所述多层墙结构的形状。
9.一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其特征在于：包括：
晶圆盖体，以红外线可穿透的材料所构成，所述晶圆盖体具有多个封装墙，且所述多个封装墙在所述晶圆盖体形成多个第一凹槽；以及
基板，包含多个像素区、多个焊接区以及多个接脚区，所述多个像素区分别设置至少一个温测芯片的多个像素且分别对应所述多个第一凹槽，所述多个焊接区与所述多个封装墙相对应地焊接，使得所述多个像素区与所述多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而所述多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。
10.根据权利要求9所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述红外线可穿透材料包含锗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳霖科技股份有限公司，未经佳霖科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420391490.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多芯片瞬态电压抑制器
- 下一篇：快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置
