[实用新型]一种提高超声波雷达探测距离电路有效
申请号: | 201420398382.3 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN204086534U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 刘丁阳;王天福 | 申请(专利权)人: | 同致电子科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | G01S15/08 | 分类号: | G01S15/08 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保 |
地址: | 361006 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 超声波 雷达 探测 距离 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及雷达探测电路技术,尤其是指一种提高超声波雷达探测距离电路。
背景技术
现有技术中,超声波雷达采用压电陶瓷(SEN)探头对外发射脉冲信号,信号发射完毕后,探头接收到障碍物反射超声波信号,信号进行放大、处理,记录信号发射和接收的时间差,根据此时间差计算障碍物距离,并输出报警信号或进行泊车等功能。
如图1所述,现有技术揭示的超声波雷达探测距离电路,包括信号发射电路10、信号接收电路20、SEN探头30及MCU40。所述信号发射电路10的输入端接MCU,由MCU发出脉冲信号,而输出端接SEN探头30;而所述信号接收电路20的输入端接SEN探头30,而输出端接MCU40。其中,所述信号发射电路10包括三极管Q2B、MOS管Q1B、以及信号发射变压器T1;三极管Q2B基极与MCU连接,发射极接地,而集电极分别经电阻R3接MOS管Q1B栅极,经电阻R3接MOS管Q1B源极,MOS管Q1B源极还接电容C1及VCC,而MOS管Q1B漏极经电容C2接信号发射变压器T1初级,而信号发射变压器T1次级接SEN探头30,且接地。
如图2所示,所述SEN探头30在接收信号时可以等效为一个电压源和一个电容器的串联,因此,现有技术的超声波雷达探测距离电路在接收信号状态下的等效点电路如图3所示,其中,Za为压电陶瓷探头SEN接收状态时的等效阻抗,Z1为发射回路接收状态时的等效阻抗,Z2为接收回路接收状态时的等效阻抗,由于受发射回路阻抗Z1的影响,送入接收电路的信号Vs较小,超声波雷达探测距离受到影响
现有技术倒车雷达采用压电陶瓷(SEN)探头对外发出10-16个周期超声波(超声波频率40KHz-68KHz)脉冲信号, 脉冲发射周期为T(T=30mS-40mS),信号发送完毕后,探头接收到障碍物反射超声波信号,信号送入接收电路,进行信号放大、滤波、模数转换处理,记录信号发送和接收的时间差,根据此时间差计算障碍物距离,并输出报警信号或进行泊车等功能。
然而,所述超声波雷达发射和接收采用同一探头,在探头接收信号期间,发射电路对地的阻抗存在,直接影响接收信号强度,影响超声波雷达探测距离。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提高超声波雷达探测距离电路;以提高雷达接收灵敏度的方法,进而提高超声波雷达探测距离。
为达成上述目的,本实用新型的解决方案为:
一种提高超声波雷达探测距离电路,包括信号发射电路、信号接收电路、SEN探头、MCU及控制开关电路;所述信号发射电路的输入端接MCU,而输出端接SEN探头;所述信号接收电路的输入端接SEN探头,而输出端接MCU;控制开关电路由MOS管Q1A及电阻R6组成,MOS管Q1A栅极接电阻R6,电阻R6接MCU,MOS管Q1A源极接地,而MOS管Q1A漏极接信号发射电路输出端。
进一步,所述信号发射电路包括三极管Q2B、MOS管Q1B、以及信号发射变压器T1;三极管Q2B基极与MCU连接,发射极接地,而集电极分别经电阻R3接MOS管Q1B栅极,经电阻R3接MOS管Q1B源极;MOS管Q1B源极还接电容C1及VCC,而MOS管Q1B漏极经电容C2接信号发射变压器T1初级,而信号发射变压器T1次级接SEN探头,同时,MOS管Q1A漏极接信号发射变压器T1次级。
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