[实用新型]一种具有绝热沟槽的MEMS气体传感器有效
| 申请号： | 201420400403.0 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN204008531U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 沈方平;张珽;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文 | 申请（专利权）人： | 苏州能斯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝热 沟槽 mems 气体 传感器 | ||
1.一种具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，包括：
单晶硅衬底(1)；
绝热沟槽(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述绝热沟槽(2)包括一组或多组沟槽，其中每组沟槽包括多个平行排列的沟槽；
下绝缘层(3)，覆盖所述单晶硅衬底(1)的上表面；
加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述绝热沟槽(2)的正上方区域内；
上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面；
气体敏感层(9)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面，且所述气体敏感层(9)位于所述加热层(4)的正上方区域内。
2.如权利要求1所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述气体传感器还包括：
温度敏感层(7)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面；
气体敏感层电极(8)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面，所述气体敏感层电极(8)和所述温度敏感层(7)位于所述加热层(4)正上方区域内的不同位置，且所述气体敏感层(9)覆盖所述气体敏感层电极(8)及两电极之间的所述上绝缘层(5)的上表面，从而连通所述气体敏感层电极(8)。
3.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述绝热沟槽(2)包括两组相交的直线状沟槽，每组沟槽包括多个相互平行的沟槽。
4.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述绝热沟槽(2)包括多个由外向内渐变缩小的回状沟槽。
5.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述绝热沟槽(2)的沟槽深度为20-100μm，宽度为300-1000nm。
6.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述绝热沟槽(2)的每组沟槽的间距为1-5μm。
7.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述绝热沟槽(2)的表面形成有二氧化硅薄膜(21)。
8.如权利要求7所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述二氧化硅薄膜(21)的厚度为100-500nm。
9.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述加热层(4)为多晶硅加热丝层或金属铂加热层。
10.如权利要求1或2所述的具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，所述上绝缘层(5)的边缘具有若干缺口形成加热层引线窗(6)。
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