[实用新型]电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及电磁炉领域，具体而言，涉及一种电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，因此被广泛应用。

电磁炉的工作电路中一般包括有IGBT和包括谐振电容的振荡电路，IGBT电路的C极与振荡电路连接，G极通入高频交流电，来驱动电路工作，对电磁炉上的锅具进行加热。由于电磁炉的G极通过的是30kHz左右的高频电流，因此IGBT导通时，在电感线圈上产生高频的交变电流，于是电感线圈在C极与振荡电路的连接位置自感出高电压，达千伏级别。由于振荡电路通过IGBT内部与G极相连，以及振荡电路通过高阻电阻或容值很小的电容(容值大则会影响振荡频率)反馈给控制放大电路放大后与G极相连，因此该自感高电压很易受到差模信号类的干扰，影响电磁炉的同步电路，因而容易出现E1(电压过高)保护或跳闸，甚至短路炸机。而此反压值较高，很容易击穿IGBT，功率越大，则反压也越高，从而造成IGBT损坏，导致电磁炉无法正常工作。

实用新型内容

本实用新型实施例中提供一种电磁炉降反压电路及包含该降反压电路的电磁炉，能够降低IGBT的C极的反压，提高IGBT工作的安全性，并有效防止电磁炉发生炸机。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种电磁炉降反压电路，包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第二降压电路的第一端连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。

作为优选，第一降压电路和第二降压电路均包括至少一个电阻。

作为优选，第一降压电路包括相互串联的第一电阻和第二电阻。

作为优选，第一降压电路还包括第一发光二极管和第二发光二极管，第一发光二极管和第二发光二极管反向并联后与第一电阻和第二电阻串联。

作为优选，第一发光二极管和第二发光二极管设置在第一电阻和第二电阻之间。

作为优选，第一发光二极管和第二发光二极管其中至少之一为变色发光二极管。

作为优选，第二降压电路包括相互串联的第三电阻和第四电阻。

作为优选，第二降压电路还包括与第三电阻和第四电阻串接的第三发光二极管，第三发光二极管的导通方向为从C极向E极导通。

作为优选，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻的阻值为10千欧至300千欧。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种电磁炉，包括电磁炉降反压电路，该电磁炉降反压电路为上述的电磁炉降反压电路。

应用本实用新型的技术方案，电磁炉降反压电路包括依次连接的整流滤波电路、振荡电路和IGBT电路，电磁炉降反压电路还包括第一降压电路和第二降压电路，第一降压电路的两端分别连接至振荡电路的两端，第二降压电路的第一端连接至IGBT电路的C极，第二降压电路的第二端连接至IGBT电路的E极。在该电磁炉降反压电路工作时，一旦振荡电路的电感线圈自感出高电压，或者IGBT电路自身在C极产生高电压时，就可以通过第一降压电路和第二降压电路来对C极所产生的电压进行降压，从而降低电磁炉的反压，降低IGBT电路和谐振电容的温升，延长谐振电容和IGBT的寿命，防止电磁炉损坏或者炸机，延长电磁炉的寿命。由于两个降压电路与零火线间的压敏电阻之间是并联的关系，因此可以分担压敏电阻的作用，与原电路的压敏电阻一起吸收干扰电压，从而形成非线性和线性的吸收保护作用。

附图说明

图1是本实用新型实施例的电磁炉降反压电路的工作原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述，但不作为对本实用新型的限定。