[实用新型]一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构有效
申请号: | 201420412033.2 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN204155953U | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 李媛 | 申请(专利权)人: | 李媛 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529100 广东省江*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 导电 衬底 led 芯片 电极 结构 | ||
1.一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构,包括导电衬底,层叠与导电衬底上的N型半导体层,层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层,芯片的导电衬底侧和P型半导体层侧的面为芯片的出光面,位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面;其特征在于:在所述侧面上设置有与P型半导体层电接触的P型电极,所述P型电极与芯片侧面之间设置有绝缘层。
2.根据要求1所述的一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构,其特征在于:所述P型电极还设置有围绕芯片的其他侧面,并与其他侧面的P型半导体层电接触的P极导电层。
3.根据要求2所述的一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构,其特征在于:所述P型半导体层上还设置有电流扩散层,所述P型电极及P极导电层通过所述电流扩散层与所述P型半导体层电接触。
4.根据要求1所述的一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构,其特征在于:所述P型半导体层上还设置有电流扩散层,所述P型电极通过所述电流扩散层与所述P型半导体层电接触。
5.根据要求1或3所述的一种具有导电衬底的LED芯片的电极结构,其特征在于:所述衬底上设置有光反射层。
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