[实用新型]芯片级封装共模滤波器及保护器件与半导体构件

权利要求书

1.一种配置为芯片级封装的单片集成的共模滤波器及保护器件，其特征在于包括： 

具有至少5Ω·cm的电阻率的半导体材料； 

由所述半导体材料形成的保护器件； 

在所述半导体材料之上的第一材料层，所述第一材料层具有以第一导电材料填充的开口；以及 

在所述第一材料层之上的第一线圈。 

2.根据权利要求1所述的单片集成的共模滤波器及保护器件，还包括： 

在所述第一材料层之上的具有以第二导电材料填充的开口的第二材料层；以及 

在所述第二材料层之上的第二线圈。 

3.一种半导体构件，其特征在于包括： 

具有至少5Ω·cm的电阻率的半导体材料； 

由所述半导体材料形成的保护器件；以及 

在所述半导体材料之上且与其单片集成的共模滤波器。 

4.根据权利要求3所述的半导体构件，还包括在所述半导体材料内的第一导电类型的掺杂区。 

5.根据权利要求4所述的半导体构件，其中所述保护器件包括为所述第一导电类型的所述掺杂区。 

6.根据权利要求5所述的半导体构件，其中所述保护器件包括静电释放保护器件。 

7.根据权利要求6所述的半导体构件，其中所述静电释放保护器件包括由所述半导体材料形成的第一及第二二极管。 

8.根据权利要求3所述的半导体构件，其中所述半导体材料具有至少500Ω·cm的电阻率。 

9.根据权利要求3所述的半导体构件，其特征在于还包括： 

在介电材料层之上的第一材料层；以及 

在所述第一材料层之上的第一导电线圈结构。 

10.根据权利要求9所述的半导体构件，其中所述第一材料层是感光材料。 

11.根据权利要求9所述的半导体构件，其中所述共模滤波器还包括： 

在所述导电线圈结构之上且在所述第一材料层的一部分之上的第二材料层；以及 

在所述第二材料层之上的第二导电线圈结构。 

12.根据权利要求11所述的半导体构件，其中所述共模滤波器还包括： 

在所述第二导电线圈结构之上且在所述第二材料层的一部分之上的第三材料层；以及 

配置于所述第三材料层内的导电结构。 

13.根据权利要求12所述的半导体构件，其中所述第一、第二及第三材料层是感光材料。 

14.根据权利要求13所述的半导体构件，还包括形成为与配置于所述第三材料层内的所述导电结构接触的焊球。 

15.一种包含与保护器件单片集成的共模滤波器的芯片级封装，其特征在于包括： 

具有至少5Ω·cm的电阻率的半导体材料； 

在所述半导体材料内的第一导电类型的第一掺杂区；其中 

所述保护器件包含所述第一掺杂区；并且 

所述共模滤波器被配置于所述半导体材料之上。 

16.根据权利要求15所述的包含与保护器件单片集成的共模滤波器的芯片级封装，其中所述保护器件具有小于10pF的电容。 

17.根据权利要求16所述的包含与保护器件单片集成的共模滤波器的芯片级封装，还包括到所述半导体材料的至少一个触头，并且其中所述共模滤波器包括： 

在所述半导体材料及所述至少一个触头之上的第一感光材料层； 

在所述第一感光材料层之上的第二感光材料层， 

配置于所述第二感光材料层内的第一螺旋形导电结构； 

在所述第二感光材料层之上且在所述第一螺旋形导电结构之上的第三感光材料层； 

配置于所述第三感光材料层内的第二螺旋形导电结构；以及 

用于使所述第一螺旋形导电材料与所述第二螺旋形导电材料电耦接的导电材料。