[实用新型]一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片

说明书

技术领域

 本实用新型涉及石英晶片技术领域，具体涉及一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片。

背景技术

石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，由于石英晶体谐振器具有频率稳定度高的特点，在电子领域一直占有比较重要的地位。信息技术产业的高速发展，更是促使了这种晶振器的蓬勃发展。它在远程通信、移动电话系统、全球定位系统、导航、遥控、航空航天、高速计算机、精密计测器以及消费类民用电子产品中占有重要的地位。

同时为了节能减耗，国际上的电路板的尺寸越做越小，所需要的电子元器件在保证性能的情况下的尺寸也越来越小，国际上 SMD 表面贴装石英晶体谐振器不断地向小型化、高精度的趋势发展。根据 SMD 石英晶体谐振器 1612的基座内部空间结构尺寸，目前的晶片尺寸不仅不能满足谐振器型号 1612的要求，还造成了该小型晶片的产出率低，原材料和辅助材料消耗高，相应生产成本也较高。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，该石英晶片能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：  一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体，所述晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm，所述晶片本体的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极，晶片本体的中线和镀银电极的中线之间的距离为0.2-0.8mm，所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极上表面的镀银层，所述基础电极和镀银层之间还镀有一层厚度为60-80μm的镀铬层。

其中，所述晶片本体的长度为1.08-1.02mm，宽度为0.78-0.68mm。

其中，所述晶片本体的长度为1.08mm，宽度为0.78mm。

其中，所述晶片本体的长度为1.05mm，宽度为0.70mm。

其中，所述晶片本体的长度为1.02mm，宽度为0.68mm。

其中，所述晶片本体的四周设置有弧形倒边。

其中，所述晶片本体边缘的厚度是中央的厚度的一半。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型所述的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型所述镀银电极的局部剖视图。

图3是本实用新型所述晶片本体的主视图。

图4是本实用新型所述晶片本体的俯视图。

图5是本实用新型所述晶片本体的右视图。

附图标记为：1—晶片本体、2—弧形倒边、3—镀银电极、31—基础电极、32—镀铬层、33—镀银层。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-5对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

见图1-5，一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体1，所述晶片本体1的长度A为1.1-1.0mm，宽度B为0.8-0.65mm。

所述晶片本体1的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极3，晶片本体1的中线H1和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.2-0.8mm。优选的，晶片本体1的中线H1和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.3-0.7mm；更为优选的，晶片本体1的中线H1和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.3mm；另一优选的，晶片本体1的中线H1和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.5mm；另一优选的，晶片本体1的中线H1和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.7mm。本实用新型可以针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点,产品品质稳定。

所述镀银电极3包括基础电极31和镀在所述基础电极31上表面的镀银层33。在晶振的制造工艺中，需要对石英晶片贴装电极，石英晶片的上、下两个端面上贴装不同极性的电极，并分别向石英晶片外侧引出电引脚；基础电极31的设置用于通过电引脚焊接在电路板中，镀银层33的设置用于形成镀银电极3，镀银层33能增强晶片本体1的导电性能。