[实用新型]并联均流晶体管输出级

权利要求书

1.并联均流晶体管输出级，包括信号输入端、至少一个基极连接在一起的输出晶体管对，所述输出晶体管对包括两个NPN管作为输出晶体管，其特征在于，每一输出晶体管对由第一输出晶体管和第二输出晶体管组成，第一输出晶体管和第二输出晶体管的发射极分别连接第一耗尽型NMOS管和第二耗尽型NMOS管漏级；

还包括全差分运算放大器，第一输出晶体管发射极和第一耗尽型NMOS管的栅极分别连接全差分运算放大器的正相输入端和正相输出端；第二输出晶体管发射极和第二耗尽型NMOS管的栅极分别连接全差分运算放大器的反相输入端和反相输出端；两个输出晶体管和两个耗尽型NMOS管的宽长比分别相等。 

2.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，两个耗尽型NMOS管的版图布局为对称设置。

3.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，两个耗尽型NMOS管到输出晶体管的走线长度和宽度相同。

4.如权利要求3所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，所述全差分运算放大器两个输入端到耗尽型NMOS管的走线长度和宽度相同。

5.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，每一耗尽型NMOS管由两个源、栅、漏对应连接的MOS单元组成，四个MOS单元成单列间隔排布；或排布成田字型中心对称结构，同一耗尽型NMOS管的两个MOS单元位于田字形结构的同一对角线上。

6.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，所述耗尽型NMOS管的栅极和漏级之间连接有补偿电容。

7.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，输出晶体管的集电极连接在一起。

8.如权利要求1所述的并联均流晶体管输出级，其特征在于，所述耗尽型NMOS管的衬底和源级连接在一起。