[实用新型]本安电池及防爆摄像机有效
申请号: | 201420422196.9 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN204068335U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 丁国军 | 申请(专利权)人: | 丁国军 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01M2/10;H04N5/225 |
代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 陈贞健 |
地址: | 200235 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 防爆 摄像机 | ||
1.一种本安电池,包括一外壳、一电池芯盖、正极触片、负极触片和电芯组,所述电池芯盖与所述外壳配合形成一容纳空间;所述电池芯组设置于所述容纳空间内且所述电芯组连接所述正极触片和所述负极触片;所述电池芯盖形成复数个芯片孔,所述正极触片和所述负极触片通过所述芯片孔裸露,其特征在于,所述外壳与一防爆摄像机的电池仓配合,所述本安电池直接安装于所述电池仓内。
2.根据权利要求1所述的本安电池,其特征在于:所述电池芯盖两侧分别形成一定位缺口。
3.根据权利要求2所述的本安电池,其特征在于,还包括一本安电路板;所述本安电路板设置于所述容纳空间内并与所述电芯组连接,且所述本安电路板连接所述正极触片和所述负极触片。
4.根据权利要求3所述的本安电池,其特征在于:所述外壳、所述电池芯盖、所述电芯组和所述本安电路板之间的空隙填充绝缘胶形成浇封层,且所述浇封层密封包裹于所述电芯组和所述本安电路板外部。
5.根据权利要求3所述的本安电池,其特征在于:所述本安电路板表面涂覆有绝缘层。
6.根据权利要求3-5任一项所述的本安电池,其特征在于:所述本安电路板包括一基板和设置于所述基板上的一本安电路,所述本安电路包括一输入端、一输出端、一电池正极连接端、一电池负极连接端和至少两保护电路;所述保护电路分别连接于所述输入端和所述输出端之间;所述电池正极连接端连接所述电芯组正极;所述电池负极连接端连接所述电芯组负极;所述输出端连接所述正极触片和所述电池正极连接端,所述输入端连接所述负极触片。
7.根据权利要求6所述的本安电池,其特征在于:所述电芯组包括复数个电芯,所述电芯的储能介质采用锂电池。
8.根据权利要求7所述的本安电池,其特征在于:所述电芯相互并联连接。
9.根据权利要求8所述的本安电池,其特征在于:
所述保护电路包括一充放电保护控制芯片、一集成双MOS管和一去耦电路;所述充放电保护控制芯片连接所述集成双MOS管和所述去耦电路。
10.根据权利要求9所述的本安电池,其特征在于:
所述充放电保护控制芯片包括一电池正极引脚、一电池负极引脚、一过充电保护控制端、一过放电保护控制端、一测试引脚和一过流检测端;所述电池正极引脚连接于所述电池正极连接端;
所述集成双MOS管包括一第一MOS管和一第二MOS管,所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连;所述过放电保护控制端连接所述第一MOS管的栅极;所述过充电保护控制端连接所述第二MOS管的栅极;所述第一MOS管的源极连接所述电池负极连接端或上一保护电路第二MOS管的源极;所述第二MOS管的源极连接一电流取样电阻并通过所述电流取样电阻连接一下保护电路的第一MOS管源极或连接所述输入端;所述过流检测端连接下一保护电路第一MOS管的源极或连接所述输入端。
11.根据权利要求10所述的本安电池,其特征在于:所述过流检测端连接一耦合隔离电阻并通过所述耦合隔离电阻和所述电流取样电阻连接下一保护电路第一MOS管的源极或连接所述输入端。
12.根据权利要求11所述的本安电池,其特征在于:所述去耦电路包括一去耦电阻和一去耦电容;所述去耦电容连接于所述电池正极引脚和所述电池负极引脚之间,所述电池正极引脚通过所述去耦电阻连接于所述电池正极连接端。
13.根据权利要求12所述的本安电池,其特征在于:所述充放电保护控制芯片采用锂电池保护控制芯片。
14.一种基于权利要求1~13任一项所述的一种本安电池的防爆摄像机,包括一摄像机主体,其特征在于,所述本安电池安装于所述摄像机主体内,所述正极触片和所述负极触片接触连接于所述摄像机主体的一内部电路。
15.根据权利要求14所述的防爆摄像机,其特征在于:所述摄像机主体形成与所述本安电池配合的一电池仓;所述电池仓底部对应所述正极触片和所述负极触片的位置设置有复数个触点;所述电池仓仓口一侧设置有一限位件,所述本安电池接受所述限位件的压迫固定于所述电池仓内,且所述正极触片和所述负极触片分别与所述触点紧密贴合地接触连接并通过所述触点连接所述内部电路。
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