[实用新型]一种开关电源的欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 201420437366.0 申请日: 2014-08-04
公开(公告)号: CN204030562U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 罗烽;闵荣峰 申请(专利权)人: 深圳市立创电源有限公司
主分类号: H02H7/10 分类号: H02H7/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电源 保护 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及开关电源电子应用技术领域,尤其是一种开关电源的欠压保护电路。

背景技术

周知,变压器和主控芯片是开关电源的核心组成部件。目前,市面上的大多数开关电源在输入电压过低时,仍在继续工作;由于输入的电压变低,导致其变压器发生很大的变化,容易产生磁饱和现象,进而使开关电源被烧毁的问题普遍存在。

因此,有必要针对开关电源本身的特点提供一种保护电路,以有效降低开关电源容易被烧毁的问题。

实用新型内容

针对上述现有技术中存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种电路结构简单、安全可靠的开关电源的欠压保护电路。

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种开关电源的欠压保护电路,它连接于外部供电单元与开关电源的主控芯片之间,它包括MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、肖特基二极管和由若干个第三电阻串联而成的电阻组;

所述第一电阻和第一电容分别并联于MOS管的栅极与源极之间,所述MOS管的栅极通过依次串联的肖特基二极管和电阻组连接于外部供电单元的零线和火线,所述肖特基二极管的输出端与MOS管的源极之间还连接有第二电阻,所述MOS管的源极还通过串联的第二电容与外部供电单元的零线和火线连接,所述MOS管的漏极和源极分别与开关电源的主控芯片的电压输入端对应连接。

优选地,所述MOS管的漏极和源极之间还连接有寄生二极管。

由于采用了上述方案,本实用新型在输入电压低于预设值时,通过MOS管来实现对开关电源的主控芯片的供电控制,即及时使主控芯片停止工作,避免了因开关电源的变压器出现磁饱和现象而导致开关电源烧毁的问题;其结构简单、安全可靠、能够有效的起到对开关电源的保护作用,具有很强的实用性。

附图说明

图1是本实用新型实施例的电路结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明,但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

如图1所示,本实施例的开关电源的欠压保护电路,它连接于外部供电单元1与开关电源的主控芯片2之间,它包括MOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、肖特基二极管ZD1和由若干个第三电阻R3串联而成的电阻组;其中,第一电阻R1和第一电容C1分别并联于MOS管Q1的栅极与源极之间,MOS管Q1的栅极通过依次串联的肖特基二极管ZD1和电阻组连接于外部供电单元1的零线N和火线L,肖特基二极管ZD1的输出端与MOS管Q1的源极之间还连接有第二电阻R2,MOS管Q1的源极还通过串联的第二电容C2与外部供电单元1的零线N和火线L连接,MOS管Q1的漏极和源极分别与开关电源的主控芯片2的电压输入端对应连接。如此,利用上述电路结构,当外部供电单元1所输入的电压低于MOS管Q1的预设电压时,MOS管Q1关断并向主控芯片2输出高电平,使主控芯片2停止工作,进而避免开关电源的变压器因出现磁饱和现象而烧毁的问题;而当外部供电单元1所输入的电压高于MOS管Q1的预设电压时,MOS管Q1导通并向主控芯片2输出低电平,使主控芯片2正常工作。同时,利用MOS管Q1的特性,可使得最低输入电压的值根据需要进行自由设定,以最大限度的满足实际的使用需要。

另外,为优化整个保护电路的电路结构,可在MOS管Q1的漏极和源极之间连接寄生二极管D1,以利用寄生二极管D1完善MOS管Q1的导通和关断功能及效果。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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