[实用新型]一种电子束快速成型制造设备偏扫系统

权利要求书

1.一种电子束快速成型制造设备偏扫系统，其特征在于：包括偏扫装置(10)、s绕组电源(4)、t绕组电源(5)和计算机控制单元；

电子束快速成型制造设备采用磁场偏扫，所述偏扫装置(10)为圆柱状结构，安装于电子枪电子束(11)出口的部位，包括导磁框架(1)、偏扫绕组(2)和电子束通道(3)，所述导磁框架(1)呈圆环状，内壁开有均匀分布的绕组槽，所述偏扫绕组(2)包括所述s绕组(2-1)和t绕组(2-2)，所述s绕组(2-1)和t绕组(2-2)均设置于导磁框架(1)的绕组槽内，所述s绕组(2-1)和t绕组(2-2)在垂直电子束通道方向的平面上呈对称分布即它们轴线相差90度，所述s绕组(2-2)和t绕组(2-1)在该平面上分别按正弦和余弦分布绕制，所述电子束通道(3)置于所述偏扫绕组(2)内圆内，导磁框架(1)由导磁材料粉末和有机绝缘胶的组合材料制成；

所述s绕组电源(4)，其与所述s绕组(2-1)连接，将给定电压信号及其变化率进行线性组合作为总给定信号，总给定信号与取样电压信号U_s通过比较和放大处理后，调整输出电压，向s绕组输出s绕组电流I_s；

所述t绕组电源(5)，其与所述t绕组(2-2)连接，将给定电压信号及其变化率进行线性组合作为总给定信号，总给定信号与取样电压信号U_t通过比较和放大处理后，调整输出电压，向t绕组输出t绕组电流I_t；

所述计算机控制单元承担电子束快速成型制造设备的总控任务，其分别与s绕组电源(4)、t绕组电源(5)连接，分别向s绕组电源(4)和t绕组电源(5)输出给定电压信号和

2.根据权利要求1所述一种电子束快速成型制造设备偏扫系统，其特征在于：所述s绕组电源(4)包括整流滤波电路ZLs、功率调整管T1s和T2s、二极管D1s和D2s、取样电阻R7s、电阻R1s～R6s、电容C1s和运算放大器ICs；

所述整流滤波电路ZLs的输入端连接外部输入的两组交流电，整流滤波电路ZLs的输出公共端与s绕组(2-1)的一端相接，正极输出端接至NPN型功率调整管T1s的集电极，负极输出端连接至PNP型功率调整管T2s的集电极；

所述运算放大器ICs的同相输入端经电阻R1s接地，所述运算放大器ICs的反相输入端经电阻R3s、电阻R2s连接计算机控制单元电压给定信号输出端，所述电容C1s与电阻R3s并联，所述电阻R2s、电阻R3s和电容C1s组成运算放大器ICs的输入电路，所述R5s两端分别连接运算放大器ICs的反相输入端和输出端，所述运算放大器ICs的输出端经电阻R6s分别与功率调整管T1s和功率调整管T2s的基极连接，运算放大器ICs的反相输入端经电阻R4s连接取样电阻R7s一端；

所述功率调整管T1s和功率调整管T2s的发射极接在一起后连接至电阻R7s的一端，电阻R7s的另一端接地，并与s绕组(2-1)的另一端相接；取样电阻R7s上输出s绕组电流I_s电压信号U_s为反馈信号，所述二极管D1s的阴极与功率调整管T1s的集电极相接，二极管D1s的阳极与功率调整管T1s的发射极相接，二极管D2s的阳极与功率调整管T2s的集电极相接，二极管D2s的阴极与功率调整管T2s的发射极相接。

3.根据权利要求1所述一种电子束快速成型制造设备偏扫系统，其特征在于：所述t绕组电源(5)包括整流滤波电路ZLt、功率调整管T1t和T2t、二极管D1t和D2t、取样电阻R7t、电阻R1t～R6t、电容C1t和运算放大器ICt；

所述整流滤波电路ZLt的输入端连接外部输入的两组交流电，整流滤波电路ZLt的输出公共端与t绕组(2-2)的一端相接，正极输出端接至NPN型功率调整管T1t的集电极，负极输出端连接至PNP型功率调整管T2t的集电极；

所述运算放大器ICt的同相输入端经电阻R1t接地，所述运算放大器ICt的反相输入端经电阻R3t、电阻R2t连接计算机控制单元电压给定信号输出端，所述电容C1t与电阻R3t并联，所述电阻R2t、电阻R3t和电容C1t组成运算放大器ICt的输入电路，所述R5t两端分别连接运算放大器ICt的反相输入端和输出端，所述运算放大器ICt的输出端经电阻R6t分别与功率调整管T1t和功率调整管T2t的基极连接，运算放大器ICt的反相输入端经电阻R4t连接取样电阻R7t一端；

所述功率调整管T1t和功率调整管T2t的发射极接在一起后连接至电阻R7t的一端，电阻R7t的另一端接地，并与t绕组(2-2)的另一端相接；取样电阻R7t上输出t绕组电流I_t电压信号U_t为反馈信号，所述二极管D1t的阴极与功率调整管T1t的集电极相接，二极管D1t的阳极与功率调整管T1t的发射极相接，二极管D2t的阳极与功率调整管T2t的集电极相接，二极管D2t的阴极与功率调整管T2t的发射极相接。