[实用新型]半导体部件

权利要求书

1.一种半导体部件，其特征在于包含与保护器件单片集成在一起的共模滤波器，所述共模滤波器包含：

具有第一及第二端子的第一线圈；

具有第一及第二端子的第二线圈，所述第二线圈的所述第一端子与所述第一线圈的所述第二端子耦接，所述第一线圈与所述第二线圈磁耦合；

具有第一及第二端子的第三线圈；

具有第一及第二端子的第四线圈，所述第四线圈的所述第一端子与所述第三线圈的所述第二端子耦接，所述第三线圈与所述第四线圈磁耦合；

所述保护器件，具有与所述第一线圈的所述第一端子耦接的第一端子以及与所述第三线圈的所述第一端子耦接的第二端子；以及

具有第一及第二端子的第一储能元件，所述第一储能元件的所述第一端子分别与所述第一及第二线圈的所述第二及第一端子耦接。

2.根据权利要求1所述的半导体部件，还包含：具有第一及第二端子的第二储能元件，所述第二储能元件的所述第一端子分别与所述第三及第四线圈的所述第二及第一端子耦接，并且所述第一及第二储能元件的所述第二端子耦接在一起。

3.根据权利要求2所述的半导体部件，其中所述第一及第二储能元件是金属-绝缘体-金属型电容器。

4.根据权利要求2所述的半导体部件，还包含第五线圈，所述第五线圈具有第一及第二端子，所述第五线圈的所述第一端子与所述第一及第二储能元件的所述第二端子耦接。

5.根据权利要求4所述的半导体部件，还包含：具有与所述第五线圈的所述第一端子耦接的第一端子以及与所述第五线圈的所述第二端子耦接的第二端子的第三储能元件。

6.根据权利要求1所述的半导体部件，其中所述保护器件包含：

具有阳极和阴极的第一二极管，所述阴极与所述第一线圈的所述第一端子耦接；

具有阳极和阴极的第二二极管，所述第一及第二二极管的所述阳极耦接在一起，并且所述第二二极管的所述阴极与所述第三线圈的所述第一端子耦接。

7.根据权利要求1所述的半导体部件，其中所述保护器件包含：

具有阳极和阴极的第一二极管；以及

具有阳极和阴极的第二二极管，所述第一二极管的所述阴极与所述第一线圈的所述第一端子耦接，所述第二二极管的所述阴极与所述第一二极管的所述阳极耦接，并且所述第二二极管的所述阳极与所述第三线圈的所述第一端子耦接。

8.根据权利要求7所述的半导体部件，还包含：具有控制电极和第一及第二载流电极的晶体管，所述第一载流电极与所述第一二极管的所述阴极耦接，并且所述第二载流电极与所述第二二极管的所述阳极耦接。

9.一种半导体部件，其特征在于具有与保护器件单片集成在一起的共模滤波器，包含：

具有主表面以及至少10Ω·CM的电阻率的半导体材料；

在所述半导体材料内的多个沟槽，其中所述保护器件由所述半导体材料形成于所述多个沟槽中的第一及第二沟槽之间；

与所述保护器件单片集成在一起的共模滤波器；以及

与共模滤波器单片集成在一起的金属-绝缘体-金属型电容器。

10.根据权利要求9所述的半导体部件，其中所述半导体材料包含：

具有至少5Ω·CM的电阻率的半导体基板；

在所述半导体基板之上的第一导电类型的第一外延层；以及

在所述第一外延层之上的第二导电类型的第二外延层。

11.根据权利要求10所述的半导体部件，还包含由所述第一及第二外延层的部分形成的所述第一导电类型的埋层。

12.根据权利要求11所述的半导体部件，其中所述多个沟槽包含至少第一、第二、第三及第四沟槽，其中所述半导体材料的在所述第一及第二沟槽之间的部分用作第一器件区，所述半导体材料的在所述第二及第三沟槽之间的部分用作第二器件区，以及所述半导体材料的在所述第三及第四沟槽之间的部分用作第三器件区。

13.根据权利要求12所述的半导体部件，还包含由所述第一器件区形成的第一二极管，由所述第二器件区形成的第二二极管，以及由所述第三器件区形成的晶体管。