[实用新型]一种带分压环结构的片上高压电阻

权利要求书

1.一种带分压环结构的片上高压电阻，包括P衬底、扩散在P衬底上中心位置的低掺杂N型深阱区、扩散在P衬底上低掺杂N型深阱区周围的PW环以及扩散在PW环上且处于PW环内部的P+环；在所述P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环的上表面还生长有场氧；在低掺杂N型深阱区上表面场氧的上方中部设置有第一Poly，在所述第一Poly的周围设置有第二Poly，第一Poly和第二Poly不贴合，其特征在于：在所述P衬底上还扩散有第一NW环，第一NW环的周围还扩散有第二NW环，所述第一、第二NW环设置于场氧的下方，具体位置为低掺杂N型深阱区的外围、PW环之内，并且，第一NW环和低掺杂N型深阱区不贴合，第二NW环和PW环不贴合，第一NW环和第二NW环不贴合；

所述第二Poly作为为高压电阻的电阻体，第二Poly通过电阻内部连接端与第一Poly相连，第二Poly通过电阻外部连接端与集成电路的低压模块相连。

2.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述P衬底为低掺杂，材料为P型硅材料片。

3.如权利要求2所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述P衬底和低掺杂N型深阱区的浓度根据实际应用进行调整。

4.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述第一Poly为圆柱形，所述第二Poly为螺旋环状、围绕着第一Poly设置。

5.如权利要求4所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述第一Poly的直径取60~100um。

6.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述P衬底和低掺杂N型深阱区的形状为圆柱体，与之对应的，所述PW环、P+环、第一NW环、第二NW环的形状均为圆环状。

7.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述低掺杂N型深阱区和第一Poly的形状为方形或多边形，相应的，第二Poly、第一NW环、第二NW环、PW环和P+环的形状也设置为方形环或多边形环。

8.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述第一Poly作为封装压点引出端或者连接到集成电路内部连接点，其大小根据实际应用情况进行调整。

9.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：所述第二Poly通过长度和宽度的调节，实现其高压电阻阻值大小的调整。

10.如权利要求1所述的一种带分压环结构的片上高压电阻，其特征在于：第一NW环与低掺杂N型深阱区的间距、第二NW环与第一NW环的间距、PW环与第二NW环的间距均根据实际工艺要求进行调整。