[实用新型]新型四象限光功率探测芯片

权利要求书

1.一种新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底底部的N电极、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的顶层、形成于所述顶层中的有源区、形成于所述顶层边沿上的钝化膜、形成于所述有源区和钝化膜上的增透膜、以及形成于所述有源区与增透膜上的P电极，所述有源区形成四个对称分布在直角坐标系四个象限中的四个光敏区，每两相邻的光敏区之间形成一沟道，以将两相邻的光敏区间隔开，所述N电极呈分层结构，所述N电极由AuSn交替蒸镀而形成。

2.根据权利要求1所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，每一所述沟道的宽度为40-60um。

3.根据权利要求2所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，每一所述沟道的宽度为50um。

4.根据权利要求1所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述衬底的材质为n型Fe掺杂的半绝缘InP材料，所述缓冲层的材质为掺杂浓度低于5X10¹⁵cm^-3的InP材料，所述吸收层的材质为掺杂浓度低于5X10¹⁴cm^-3的InGaAs材料，所述顶层的材质为掺杂浓度小于1X10¹⁶cm^-3的InP材料。

5.根据权利要求4所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述衬底的厚度为340um -360um，所述缓冲层的厚度为1um -2um，所述吸收层的厚度为2um -3um，所述顶层的厚度大于1um且小于5um。

6.根据权利要求5所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述衬底的厚度为350um，所述缓冲层的厚度为1.5um，所述吸收层的厚度为2.5um。

7.根据权利要求1所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述钝化膜的材质为非晶氮化硅和二氧化硅，所述P电极的材质为铬和金。

8.根据权利要求1所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述N电极呈七层结构，所述N电极包括：第一金层、形成于所述第一金层上的第一锡层、形成于所述第一锡层上的第二金层、形成于所述第二金层上的第二锡层、形成于所述第二锡层上的第三金层、形成于所述第三金层上的第三锡层、以及形成于所述第三锡层上的第四金层。

9.根据权利要求8所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述N电极的厚度为0.68um-0.78um。

10.根据权利要求9所述的新型四象限光功率探测芯片，其特征在于，所述N电极的厚度为0.73um，所述第一金层的厚度为0.15um，所述第一锡层的厚度为0.1um，所述第二金层的厚度为0.15um，所述第二锡层的厚度为0.1um，所述第三金层的厚度为0.1um，所述第三锡层的厚度为0.1um，所述第四金层的厚度为0.03um。