[实用新型]具有控制波束宽度的小型化天线单元和大规模天线阵列有效
申请号: | 201420450943.X | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN203983493U | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 庄昆杰 | 申请(专利权)人: | 庄昆杰 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q13/08;H01Q13/10;H01Q21/00 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 郭振兴;王正茂 |
地址: | 362017 福建省泉州市丰*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 控制 波束 宽度 小型化 天线 单元 大规模 阵列 | ||
1.一种具有控制波束宽度的小型化天线单元,其特征在于,包括:辐射片、介质层、微带缝隙天线基板和反射腔;
所述介质层设置于所述辐射片与所述微带缝隙天线基板的正面之间,且所述介质层的介电常数大于空气的介电常数;
所述微带缝隙天线基板采用高介电常数基片,且所述高介电常数基片的介电常数大于3.5;
所述反射腔设置于所述微带缝隙天线基板的反面。
2.根据权利要求1所述的小型化天线单元,其特征在于,所述微带缝隙天线基板包括高介电常数基片、微槽缝隙和微带线;
所述微槽缝隙设置于所述高介电常数基片的正面,所述微带线设置于所述高介电常数基片的反面;所述微带缝隙天线基板的正面与所述高介电常数基片的正面为同一面,所述微带缝隙天线基板的反面与所述高介电常数基片的反面为同一面。
3.根据权利要求1或2所述的小型化天线单元,其特征在于,所述介质层和所述高介电常数基片的介电常数的取值范围为:
3.5<N<10;1<M<10;
其中,N为高介电常数基片的介电常数,M为介质层的介电常数。
4.一种具有控制波束宽度的小型化大规模天线阵列,其特征在于,所述具有控制波束宽度的小型化大规模天线阵列由权利要求1-3任一所述的具有控制波束宽度的小型化天线单元组成。
5.根据权利要求4所述的小型化大规模天线阵列,其特征在于,所述具有控制波束宽度的小型化大规模天线阵列为二维大规模天线阵列。
6.根据权利要求5所述的小型化大规模天线阵列,其特征在于,所述具有控制波束宽度的小型化大规模天线阵列为4×4、4×16、8×8、8×16或8×32阵列的大规模天线阵列。
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