[实用新型]横向对称DMOS管有效
| 申请号： | 201420455558.4 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN204029815U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王建全;彭彪;张干;王作义;崔永明;李保霞 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 对称 dmos | ||
1.横向对称DMOS管，其特征在于，包括具备第一掺杂类型的外延层（1）及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区（2），有源区上方设置有与有源区欧姆接触的有源区金属电极（5）；两个有源区之间为具有第二掺杂类型的漂移区，漂移区中部为具有第一掺杂类型的沟道区（4），所述漂移区和沟道区上方均为绝缘层（8）覆盖，绝缘层（8）上分布有栅极（7）和副栅（6），分别位于沟道区和漂移区上方，所述副栅上具有引线连接孔。
2.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述两个有源区上的副栅（6）与栅极（7）平行布置，副栅（6）位于栅极（7）两侧，两根副栅的端头以金属连线（9）对应连接。
3.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述有源区（2）上方靠近漂移区一侧设置有金属硅化物层（10）。
4.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述栅极和副栅为类型和厚度相同的多晶硅。
5.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述副栅为与有源区金属电极相同的金属电极。
6.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，还包括紧邻所述有源区（2）远离漂移区的具备第一掺杂类型的衬底电位区（3）。
7.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型分别为P型和N型。
8.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型分别为N型和P型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川广义微电子股份有限公司，未经四川广义微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420455558.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
