[实用新型]一种半导体温差充电器

权利要求书

1.一种半导体温差充电器，包括壳体（1）、温差感应发电芯片（2）、中空式散热器（3），中空式散热器（3）安装在壳体（1）内，其特征在于：在中空式散热器（3）的对称两侧面上分别粘贴有1～100片温差感应发电芯片（2），并且温差感应发电芯片（2）的热面高于或等于壳体（1）的外表面，温差感应发电芯片（2）的冷面粘贴固定在中空式散热器（3）上，所有温差感应发电芯片（2）相互连接后组成的电源输出端与安装在控制电路板（6）上的桥堆（4）的输入端连接，桥堆（4）的输出端与安装在壳体（1）上的USP手机充电插口（5）连接、或通过安装在壳体（1）内的控制电路板（6）上的电路与USP手机充电插口（5）连接。

2.根据权利要求1所述的半导体温差充电器，其特征在于：所述的所有温差感应发电芯片（2）相互连接后组成的电源是指，将所有温差感应发电芯片（2）相互串联组成串联式发电源（IC1）或相互并联组成并联式发电源（IC2）、或是取所有温差感应发电芯片（2）中相同数量的感应发电芯片（2）相互串联后再并联在一起组成串并联式发电源（IC3）、或是取所有温差感应发电芯片（2）中相同数量的感应发电芯片（2）相互并联后再串联在一起组成并串联式发电源（IC4），串联式发电源（IC1）、并联式发电源（IC2）、串并联式发电源（IC3）或并串联式发电源（IC4）的输出端与安装在控制电路板（6）上的桥堆（4）的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的半导体温差充电器，其特征在于：在将温差感应发电芯片（2）相互并联时，在每个温差感应发电芯片（2）的正电极输出端上都连接有一个防止对冲的整流二极管（D）。

4.根据权利要求2所述的半导体温差充电器，其特征在于：在将相同数量的感应发电芯片（2）相互串联后再并联在一起时，在每组串联的感应发电芯片（2）的正电极输出端上都连接一个防止对冲的整流二极管（D）后、再将每组串联的感应发电芯片（2）并联组成串并联式发电源（IC3）。

5.根据权利要求1所述的半导体温差充电器，其特征在于：控制电路板（6）上的电路包括组成放大、稳压和恒流电路的第一三极管（G1）～第四三极管（G4）和运算放大电路集成块（IC），桥堆（4）的负极为接地端，桥堆（4）的正极接第一三极管（G1）的发射极，第一三极管（G1）的集电极接第一变压器L1的次级一端，第一变压器L1的次级另一端接地，第一三极管（G1）的基极接第一变压器L1的初级一端，第一变压器L1的初级另一端接第一二级管（D1）的正极，第一二级管（D1）的负极接第二三极管（G2）的集电极和第一电阻（R1）一端，第一电阻（R1）的另一端接第二三极管（G2）的基极和第三三极管（G3）的发射极及第一电容（C1），第二三极管（G2）的发射极通过第一稳压管（W1）接地；第三三极管（G3）的基极接第二变压器（L2）的初级一端，第二变压器（L2）的初级另一端接第二二级管（D2）的正极，第二二级管（D2）的负极接第四三极管（G4）的集电极和第二电阻（R2）一端，第二电阻（R2）的另一端接第四三极管（G4）的基极和第二电容（C2）、第四电容（C4）、电感（L）的一端及运算放大电路集成块（IC）的第3、第6和第7接线脚，第四三极管（G4）的发射极通过第二稳压管（W2）接地和接第二电容（C2）和第四电容（C4）的另一端；运算放大电路集成块（IC）的输入端第1接线脚通过第三电阻（R3）和第三电容（C3）接地，算放大电路集成块（IC）的另一输入端第2接线脚通过第四电阻（R4）接地、并通过第五电阻（R5）与第三二极管（D3）的负极、LED发光二极管（D4）的正极、电感（L）的另一端、第六电容（C6）及USP手机充电插口（5）连接，算放大电路集成块（IC）的第4接线脚接地、第8接线脚通过第五电容（C5）接地，算放大电路集成块（IC）的输出端第5脚接第三二极管（D3）的正极，LED发光二极管（D4）的负极通过开关（K）接地；运算放大电路集成块（IC）的型号为：SY7208、VT1050、LV8050或PT1301。

6.根据权利要求1所述的半导体温差充电器，其特征在于：中空式散热器（3）为铝合金矩形框结构，在该铝合金矩形框结构的对称两面设有用于与温差感应发电芯片（2）的冷面贴合的贴合平面（3.1），在该铝合金矩形框结构的空腔中设有散热片（3.2），散热片（3.2）与铝合金矩形框结构连接为一体组成中空式散热器（3）。

7.根据权利要求6所述的半导体温差充电器，其特征在于：由散热片（3.2）与铝合金矩形框结构连接为一体组成的中空式散热器（3）为整体式结构或为两半式散热器组合结构，当中空式散热器（3）为两半式散热器组合结构时，在一半散热器与另一半散热器组合的结合面之间垫有一层绝缘隔热垫（7），并且一半散热器与另一半散热器通过螺栓（8）连接为一体组成中空式散热器（3）。