[实用新型]一种电迁移测试结构

权利要求书

1.一种电迁移测试结构，位于晶圆切割道上，包括测试结构主体、保护环、第一金属焊垫、第二金属焊垫、第三金属焊垫及第四金属焊垫，其特征在于： 

所述测试结构主体位于所述保护环内，所述第一、第二、第三及第四金属焊垫位于所述保护环外； 

所述测试结构主体与各金属焊垫之间分别通过一阱连接结构连接；所述阱连接结构包括依次连接的第一层间金属互连层、第一N型重掺杂层、N阱、第二N型重掺杂层及第二层间金属互连层，其中，所述N阱形成于P型衬底中，所述第一N型重掺杂层与第二N型重掺杂层均形成于所述N阱上，所述第一N型重掺杂层与第二N型重掺杂层之间形成有P型重掺杂层并通过隔离结构隔离； 

所述保护环与所述P型重掺杂层连接； 

所述P型衬底与所述保护环均与所述第三金属焊垫连接。 

2.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述测试结构主体包括待测金属线及围绕所述待测金属线的虚拟金属；所述待测金属线的第一端及第二端分别通过金属插塞与第一上层金属线及第二上层金属线连接；所述第一上层金属线包括第一电压测量端口及第一电流测量端口，所述第二上层金属线包括第二电压测量端口及第二电流测量端口；所述第一电压测量端口、第一电流测量端口、第二电压测量端口及第二电流测量端口分别通过一个所述阱连接结构与所述第一、第二、第三、第四金属焊垫连接。 

3.根据权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述虚拟金属包括一围绕所述待测金属线的闭合金属环及分布于所述金属环两侧的若干金属线。 

4.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第二层间金属互连层通过第三上层金属线连接于相应的金属焊垫。 

5.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述P型衬底依次通过第三层间金属互连层及第四上层金属线与所述第三金属焊垫连接。 

6.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述N阱旁还形成有P阱。 

7.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述保护环位于所述切割道中部， 且除所述第一、第二、第三及第四金属焊垫以外，所述电迁移测试结构包括金属的区域宽度小于或等于30微米。 

8.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述第一、第二、第三及第四金属焊垫位于所述切割道中部，且各金属焊垫的顶层金属宽度小于或等于30微米。 

9.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离。