[实用新型]一种G+F结构的无边框触摸屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种G+F结构触摸屏，尤其涉及一种G+F结构的无边框触摸屏。

背景技术

目前，主流窄边框设计的电容屏主要是压缩ITO(氧化铟锡导电膜)边框边缘上的线宽线距来实现。压缩ITO边框边缘走线的空间只能做到窄边框，无法做到真正的无边框。

传统的G+F(Glass+Film)电容式触摸屏的ITO film是采用横向设计，然后通过丝印导电银浆与ITO导电层搭接，形成驱动和感应通道，这种走线方式由于侧边的走线空间有限，所以只能压缩银浆线路的宽度，无法实现真正的无边框。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种G+F结构的无边框触摸屏，其能够满足电容屏无边框以及窄边框电容屏的需求，以解决现有技术中G+F结构触摸屏存在的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其中，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。

特别地，所述ITO图形为直角梯形结构，所述若干个ITO图形中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜的两横向侧边完全重合。

特别地，所述ITO图形通过印刷后蚀刻得到。

本实用新型的有益效果为，与现有技术相比所述G+F结构的无边框触摸屏的ITO图形采用竖向布置，这样导电银浆线路与ITO图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线，由于导电线路不需要从侧边出线，这样就可以做到ITO导电线路与可视区域完全重合，这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。

图中：

1、氧化铟锡导电膜；2、ITO图形；3、导电银浆线路；4、搭接处；5、绑定处。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

请参阅图1所示，图1是本实用新型具体实施方式1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。

本实施例中，一种G+F结构的无边框触摸屏包括氧化铟锡导电膜1，所述氧化铟锡导电膜1上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形2，所述ITO图形2为直角梯形结构，所述若干个ITO图形2中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜1的两横向侧边完全重合。且所述氧化铟锡导电膜1上于若干个ITO图形2的上方印刷有导电银浆线路3与若干个ITO图形2的上端的搭接处4搭接，并引出线路到顶端绑定处5绑定。

制作时，ITO图形2通过印刷、蚀刻的方式得到我们需要的竖向布置的直角梯形结构，然后印刷上导电银浆线路3与ITO图形2的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位，然后取FPC用导电胶与氧化铟锡导电膜1绑定好，与钢化玻璃盖板贴合好之后，就得到我们的无边框电容式触摸屏。

以上实施例只是阐述了本实用新型的基本原理和特性，本实用新型不受上述事例限制，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。