[实用新型]一种高功率半导体激光器系统有效
申请号: | 201420472146.1 | 申请日: | 2014-08-20 |
公开(公告)号: | CN204088872U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;聂志强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/024 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体激光器 系统 | ||
1.一种高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,其特征在于:所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联;所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压,电源用于向半导体激光器芯片供电;所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器系统,其特征在于:所述反馈电路是带有输入/输出脉冲信号的控制器。
3.根据权利要求2所述的高功率半导体激光器系统,其特征在于:所述反馈电路包括时间控制单元,用于使反馈电路在小于1微秒时间内向电源发送反馈信号,使半导体激光器电源暂时停止工作;所述半导体激光器电源暂时停止工作至设定的时间后,反馈电路再次施加信号,使半导体激光器电源重新开始工作,驱动半导体激光器。
4.根据权利要求1至3任一所述的高功率半导体激光器系统,其特征在于:所述半导体激光器芯片固定设置在散热装置上,所述散热装置为传导冷却制冷散热器、液体制冷散热器或TEC制冷散热器。
5.根据权利要求4所述的高功率半导体激光器系统,其特征在于:所述半导体激光器芯片为单发光点半导体激光器芯片或多发光点半导体激光器芯片。
6.根据权利要求5所述的高功率半导体激光器系统,其特征在于:所述半导体激光器电源为电流源,包括连续电流源、准连续电流源和/或脉冲电流源。
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