[实用新型]一种LED驱动电路及其软启动电路有效
申请号: | 201420472538.8 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN204031553U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 郑石磊;郑振军;吴建国;潘逸龙;毛维琴 | 申请(专利权)人: | 浙江东和电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
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地址: | 325604 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 驱动 电路 及其 启动 | ||
1.一种软启动电路,用于LED灯驱动电路,其特征在于:包括:
基准电流镜像电流源,耦接于外部输出端以接收电流信号;
比较器,该比较器包括正向输入端,耦接于基准电流镜像电流源的输出端,反向输入端,用于接收外部参考电压;
两个反相器,其输入端耦接于比较器的输出端;
两个开关管,耦接于反相器的输出端,并耦接于比较器的输入端。
2.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于:所述的比较器包括:
第一N沟道MOS管,其源极接地;
第二N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第一N沟道MOS管的栅极;
第三N沟道MOS管,其源极接地;
第四N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第三N沟道MOS管的栅极;
第五N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第一N沟道MOS管的漏极,并耦接于第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管的栅极;
第六N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第四N沟道MOS管的漏极,并耦接于第三N沟道MOS管和第四N沟道MOS管的栅极;
第一P沟道MOS管,其漏极耦接于第一N沟道MOS管的漏极;
第二P沟道MOS管,其漏极耦接于第四N沟道MOS管的漏极,其栅极耦接于第一P沟道MOS管的栅极;
第三P沟道MOS管,其漏极耦接于第五N沟道MOS管的漏极,并耦接与其栅极;
第四P沟道MOS管,其漏极耦接于第六N沟道MOS管的漏极,其栅极耦接于第三P沟道MOS管的栅极。
3.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于:所述的两个反相器包括:
一级反相器,其输入端耦接于比较器的输出端,输出端耦接于一个开关管的控制极;
二级反相器,其输入端耦接于一级比较器的输出端,输出端耦接于另一个开关管的控制极。
4.根据权利要求3所述的软启动电路,其特征在于:所述的一级反相器包括:
第八P沟道MOS管,其源极耦接于电源,栅极耦接于第六N沟道MOS管的漏极;
第八N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第六N沟道MOS管的漏极,漏极耦接于第八P沟道MOS管的漏极。
5.根据权利要求3所述的软启动电路,其特征在于:所述的二级反相器包括:
第九P沟道MOS管,其源极耦接于电源,栅极耦接于第八P沟道MOS管的漏极;
第九N沟道MOS管,其源极接地,栅极耦接于第八N沟道MOS管的漏极,漏极耦接于第九P沟道MOS管的漏极。
6.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于:所述的两个开关管包括:
第一开关管,其控制极耦接于一级反相器的输出端,输入级耦接于比较器的正向输入端;
第二开关管,其控制极耦接于二级反相器的输出端,输入级耦接于比较器的反向输入端。
7.一种LED灯驱动电路,用于驱动LED灯,包括:带隙参考源、PWM控制器、误差放大器EA、欠压锁定电路、过热关断、过流保护电路、内部稳压电路、使能电路、输入电压检测电路、逻辑控制电路,功率开关管输出电路,其特征在于:还包括:
如权利要求1至8任意一项所述的软启动电路,耦接于PWM控制电路与带隙参考源之间,以驱动PWM控制电路。
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