[实用新型]宽电流范围CT取电装置

权利要求书

1.一种宽电流范围CT取电装置，主要包括：

取电磁芯(2)、环绕于所述取电磁芯(2)的取电线圈(3)、穿设于所述取电磁芯(2)的输电线(1)，用以构成电流互感器而获取感应后的交流电压和交流电流，取电磁芯(2)、取电线圈(3)外部绝缘处理，并具有可以安装的外形结构；

整流滤波电路(4)，用以将所述感应后的交流电压和交流电流转变成直流电压和直流电流；

DC-DC电路(5)，用以将上述直流电压转换为合适的输出电压；

外壳，用以将上述整流滤波电路(4)及DC-DC电路(5)装于其内，

上述取电线圈(3)的输出端与整流滤波电路(4)的输入端连接，整流滤波电路(4)的输出端与DC-DC电路(5)的输入端连接；

其特征在于，还包括钳位电路(6)，用以将取电线圈(3)的输出电压牵制在一定的电压范围内，使整流滤波电路(4)、DC-DC电路(5)能够正常工作，钳位电路(6)与整流滤波电路(4)的输入端并联。

2.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的钳位电路(6)主要有双向可控硅(V1)及压敏电阻(R1)组成，压敏电阻(R1)的一端与可控硅(V1)的控制极相连接，另一端与可控硅(V1)的第二主电极相连接，可控硅(V1)的两个主电极与上述整流滤波电路(4)的输入端相连接。

3.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的钳位电路(6)主要有双向可控硅(V1)及瞬态抑制二极管(TVS1)组成，瞬态抑制二极管(TVS1)为双向瞬态抑制二极管，一端与可控硅(V1)的控制极相连接，另一端与可控硅(V1)的第二主电极相连接，可控硅(V1)的两个主电极与上述整流滤波电路(4)的输入端相连接。

4.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的钳位电路(6)主要有双向可控硅(V1)及稳压二极管(D1)、稳压二极管(D2)组成，稳压二极管(D1)与稳压二极管(D2)反向串联后，一端与可控硅(V1)的控制极相连接，另一端与可控硅(V1)的第二主电极相连接，可控硅(V1)的两个主电极与上述整流滤波电路(4)的输入端相连接。

5.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：装置由两个电流互感器构成，即双CT结构，第一个电流互感器的取电线圈(3)的输出端与整流滤波电路(4)的输入端相连接，钳位电路(6)并联在整流滤波电路(4)的输入端；第二个电流互感器的取电线圈(31)的输出端与整流滤波电路(41)的输入端相连接，钳位电路(61)并联在整流滤波电路(41)的输入端，整流滤波电路(4)的输出端与整流滤波电路(41)的输出端并联后再与DC-DC电路(5)的输入端相连接。

6.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的取电磁芯(2)有两个半环形磁心组成，取电线圈分绕在两个半环形磁心上，中间用外置导线连通。

7.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的取电磁芯(2)有两个半环形磁心组成，取电线圈绕在一个半环形磁心上。

8.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的电流互感器与所述的外壳连在一起，形成一体结构。

9.根据权利要求1所述的宽电流范围CT取电装置，其特征在于：所述的外壳为金属材料，用环氧树脂将电路灌封于其内。