[实用新型]一种单晶高功率太阳能组件有效
申请号: | 201420476250.8 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN204088333U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 王永丰;刘玲玲;周永;张金林 | 申请(专利权)人: | 上海晶澳太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0236;H01L31/0216 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 201401 上海市奉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶高 功率 太阳能 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池组件技术领域,具体涉及一种单晶高功率太阳能电池组件。
背景技术
太阳能是一种可再生、清洁无污染、不受地域资源限制的新兴能源,正在逐渐的、被大范围的广泛应用。太阳能光伏组件是太阳能发电系统中的核心部件,可以利用光生伏特原理将太阳能转换电能,太阳能组件的转换效率越高,单位面积上的发电量越大。目前市场上主流的60片156×156mm单晶电池太阳能组件的功率范围在255-270W左右,整体功率水平还处于较低的水平。目前市场上主流的太阳能组件主要由镀膜玻璃/超白钢化玻璃、普通EVA、焊带、晶硅电池、背板、边框、接线盒等组成。
高功率的太阳能组件可以占用更少的土地面积、减少物流费用、减少系统安装费用等等,可以有效的降低太阳能发电的成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种单晶高功率太阳能组件,该单晶高功率太阳能组件功率高。
本实用新型的上述技术问题是通过如下技术方案来实现的:一种单晶高功率太阳能组件,主要由超白钢化玻璃、第一EVA层、单晶电池片阵列、第二EVA层和背板组成,在所述超白钢化玻璃上朝向光源的一面设有陷光薄膜。
作为本实用新型的一种改进:所述单晶电池片阵列中相邻单晶电池片通过焊带相连接,在所述焊带上设有减反射膜。
减反射膜主要是形成漫反射光,反射光角度较小,可以在超白钢化玻璃的内表面,形成二次反射光,反射光在入射到电池片表面,形成光的再吸收。
作为本实用新型的进一步改进:所述单晶电池片阵列中每个单晶电池片的前表面设有低反光薄膜,背表面设有钝化薄膜。
本实用新型所述第一EVA层优选为高透光率EVA层。
本实用新型所述第二EVA层优选为高阻隔EVA层。
本实用新型所述背板优选为高反射率背板。
本实用新型具有如下优点:
(1)本实用新型在超白钢化玻璃的表面设有陷光薄膜,陷光薄膜表面具有均匀的、类金字塔结构绒面,将陷光玻璃贴敷在超白钢化玻璃表面,能将超白钢化玻璃的透光率提升3%~6%,同时能增加太阳能电池组件正面的透光率,提升太阳能电池组件的输出功率;
(2)本实用新型在单晶电池片阵列中相邻两单晶电池片之间的焊带上设有减反射膜,该减反射薄膜具有均匀的、粗糙的微观表面结构,可以对入射光形成漫反射,漫反射光在超白钢化玻璃的内表面形成二次反射,再次入射到电池表面,能使电池对光的吸收率提升1%~3%,同时能减少焊带对光的反射率,提升组件的输出功率;
(3)本实用新型单晶硅片阵列中每个单晶电池片为高转换效率的Percuim电池片,可以提升电池的转换效率1%~2%,60片156×156mm单晶电池太阳能组件的功率可以高达290~310W左右;
(4)本实用新型中单晶高功率太阳能电池组件的制备过程工艺简洁,产量大,生产成本低廉;整个工艺流程稳定、无毒、无污染,可以大幅提升太阳能电池组件的输出功率,提升单位面积上的系统发电量,可以有效的降低的太阳能电池组件的运输物流成本、系统安装成本等。
附图说明
图1是本实用新型单晶高功率太阳能电池组件的结构示意图;
图2是本实用新型中超白钢化玻璃表面光的路径图和陷光薄膜表面光的路径图,其中A图是超白钢化玻璃表面光的路径图,B图是陷光薄膜表面光的路径图;
图3是本实用新型中焊带表面减反射薄膜的光的路径图。
具体实施方式
下面结合附图对本装置做进一步说明。
如图1-3所示,一种单晶高功率太阳能组件,主要由超白钢化玻璃1、第一EVA层2、单晶电池片阵列3、第二EVA层4和背板5组成,在超白钢化玻璃1上朝向光源的一面设有陷光薄膜6,陷光薄膜使用DSM公司生产的LTC薄膜。
单晶电池片阵列3中相邻单晶电池片通过焊带7相连接,在焊带7上设有减反射膜8。减反射膜8使用3M公司的LRF薄膜,该薄膜具有三层结构,表面为微观处理的铝膜、中间层为绝缘PET、下层为粘结层。
单晶电池片阵列3中每个单晶电池片的前表面设有低反光薄膜,该低反光薄膜可以为氮化硅减反射薄膜等,背表面设有钝化薄膜,该钝化薄膜可以为氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜,氧化硅薄膜以及氮化硅、氧化铝的钝化薄膜层等。
其中第一EVA层2为高透光率EVA层,第二EVA层4为高阻隔EVA层,背板5为高反射率背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的